[发明专利]制备用于半导体结构的支撑件的方法

权利要求书

1.一种用于制备支撑件(1)的方法，该方法包括以下步骤：

将衬底(3)放置在沉积系统的腔室中的承托件上，所述承托件具有不被所述衬底覆盖的暴露表面；

使包含碳的前体和包含硅的前体在范围为800℃至1100℃之间的沉积温度下流入所述腔室，以便在所述衬底的暴露面上形成至少一层(2a、2b)，而同时在所述承托件的所述暴露表面上形成碳和硅的沉积物，在所述承托件上沉积的物种包括少于50％的碳物种；以及

紧接在从所述腔室中移除所述衬底(3)之后，通过使蚀刻气体在700℃至1050℃的范围内的不高于所述沉积温度的第一蚀刻温度下流入所述腔室来应用第一蚀刻步骤，以便去除在所述承托件上的所述碳和硅的沉积物中的至少一些。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，包含碳的所述前体包括丙烷、丁烷、或硅的、碳的以及氢的气体化合物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述包含硅的前体包括硅烷、乙硅烷、三氯硅烷或二氯硅烷。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述承托件由碳化硅或石墨制成。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述承托件上沉积的物种包括多于10％的碳物种，并且所述第一蚀刻温度小于900℃。

6.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括：在所述第一蚀刻步骤之后，通过使蚀刻气体在高于所述沉积温度的第二温度下流入所述腔室中来应用第二蚀刻步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二蚀刻温度在1100℃至1150℃的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，应用所述第一蚀刻步骤5秒至15分钟。

9.根据权利要求1或2所述的方法，在所述腔室中没有衬底的情况下，所述方法还包括涂布步骤，所述涂布步骤包括使包含硅的前体流入所述腔室中，以便在所述承托件上形成多晶硅的保护层。

10.根据权利要求1或2所述的方法，所述蚀刻气体包括氯离子。