[发明专利]用于2.5D/3D IC封装的定点冷却的热电冷却器(TEC)

权利要求书

1.一种集成组件封装，包括：

耦合至封装基板的表面的多个低功率组件和高功率组件，其中，所述低功率组件位于邻近于所述高功率组件，所述多个低功率组件和所述高功率组件中的每一个在正常操作期间产生热，并且所述高功率组件在正常操作期间相对于所述低功率组件中的每个低功率组件产生更多的热量；

封装盖，所述封装盖耦合至所述封装基板并且覆盖所述多个低功率组件和所述高功率组件；

冷平板，所述冷平板物理地热耦合至所述封装盖，所述冷平板包括基部表面和顶部表面，其中，所述顶部表面相对于所述封装盖与所述基部表面相对；以及

多个热电冷却TEC元件，其中，在所述集成组件封装内调整所述TEC元件的大小并且定位所述TEC元件，使得在与所述低功率组件和所述高功率组件所耦合的所述封装基板的所述表面垂直的方向中突出的相应TEC元件的占用区的至少实质部分与所述低功率组件中的至少一个低功率组件重叠，并且在与所述低功率组件和所述高功率组件所耦合的所述封装基板的所述表面垂直的所述方向中突出的所述TEC元件的所述占用区中没有部分与所述高功率组件重叠。

2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述TEC被集成到所述冷平板中，使得每个TEC的第一侧被嵌入在所述冷平板的所述基部表面中并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述封装盖。

3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述冷平板的所述基部表面包括多个绝缘槽口，每个槽口定位在邻近于所述多个TEC中的一个TEC。

4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述TEC被集成到所述封装盖中，使得每个TEC的第一侧被嵌入在所述封装盖中并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述冷平板的所述基部表面。

5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述TEC被集成到所述封装盖中，使得每个TEC的第一侧被嵌入在所述封装盖中并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述低功率组件。

6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述TEC被集成到所述封装盖中，使得每个TEC的第一侧被耦合并且热耦合至所述冷平板的所述基部表面并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述低功率组件。

7.根据权利要求1所述的封装，其中，每个TEC的第一侧被嵌入在所述封装基板中，并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述低功率组件。

8.根据权利要求1所述的封装，其中，每个TEC是独立供电的。

9.一种组装集成组件封装的方法，所述方法包括：

将多个低功率组件和高功率组件耦合至封装基板的表面，其中，所述低功率组件位于邻近于所述高功率组件，所述多个低功率组件和所述高功率组件中的每一个在正常操作期间产生热，并且所述高功率组件在正常操作期间相对于所述低功率组件中的每个低功率组件产生更多的热量；

将封装盖耦合至所述封装基板，其中，所述封装盖覆盖所述多个低功率组件和所述高功率组件；

将冷平板物理地热耦合至所述封装盖，所述冷平板包括基部表面和顶部表面，其中，所述顶部表面相对于所述封装盖与所述基部表面相对；以及

在所述集成组件封装内调整多个热电冷却TEC元件的大小并且定位多个热电冷却TEC元件，使得在与所述低功率组件和所述高功率组件所耦合的所述封装基板的所述表面垂直的方向中突出的相应TEC元件的占用区的至少实质部分与所述低功率组件中的至少一个低功率组件重叠，并且在与所述低功率组件和所述高功率组件所耦合的所述封装基板的所述表面垂直的所述方向中突出的所述TEC元件的所述占用区中没有占用区与所述高功率组件重叠。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：将所述TEC集成到所述冷平板中，使得每个TEC的第一侧被嵌入在所述冷平板的所述基部表面中并且每个TEC的第二侧物理地热耦合至所述封装盖。