[发明专利]体声波滤波器

权利要求书

1.一种体声波(BAW)滤波器，所述体声波滤波器包括：

金刚石基板。

2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，还包括：

钝化层，所述钝化层形成在所述金刚石基板上；

第一金属层，所述第一金属层形成在所述钝化层上；

压电层，所述压电层形成在所述第一金属层上；

第二金属层，所述第二金属层形成在压电层上；以及

金属焊盘，所述金属焊盘形成在所述第一金属层上，

其中所述金属焊盘、所述第一金属层、所述压电层和所述第二金属层形成电路径，所述电路径允许一个频率范围内的电信号通过。

3.根据权利要求2所述的体声波滤波器，还包括：

籽晶层，所述籽晶层设置在所述金刚石基板与所述钝化层之间，所述籽晶层由金刚石粉末形成并被用于在其上生长所述金刚石基板。

4.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其中，所述钝化层由介电材料形成。

5.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其中，所述压电层由具有压电效应的材料形成。

6.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其中，所述压电层包括GaN、AlN和ZnO中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的体声波滤波器，其中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述金属焊盘中的每一个由导电金属形成。

8.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其中，所述金刚石基板具有单晶结构和多晶结构中的至少一种。

9.一种制造体声波滤波器的方法，所述方法包括：

形成压电层；

在所述压电层的第一表面上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成金刚石基板；

在所述压电层的第二表面上形成第二金属层；

去除所述压电层的一部分以暴露所述第一金属层的一部分；以及

在所述第一金属层的暴露部分上形成金属焊盘。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成金刚石基板的步骤包括：

在所述第一钝化层上形成籽晶层；以及

在所述籽晶层上生长所述金刚石基板。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述籽晶层由金刚石粉末形成。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成压电层的步骤包括：

在基板上形成所述压电层；

在所述压电层上形成第二钝化层；并且

在所述第二钝化层上形成伪晶片；以及

去除所述基板。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

在所述形成金刚石基板的步骤之后，去除所述伪晶片和所述第二钝化层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述伪晶片由硅形成。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述压电层包括GaN、AlN和ZnO中的至少一种。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述金属焊盘中的每一个均由导电金属形成。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一钝化层包括多晶硅和氮化硅中的至少一个。