[发明专利]体声波滤波器

说明书

提供了一种用于使预设频率范围内的电信号通过的体声波(BAW)滤波器(130)。BAW滤波器(130)包括：金刚石基板(114)；钝化层(111)，其形成在所述金刚石基板(114)上；第一金属层(110)，其形成在所述钝化层(111)上；压电层(104')，其形成在所述第一金属层(110)上；第二金属层(116)，其形成在压电层(104')上；金属焊盘(120)，其形成在所述第一金属层(110)上。所述金属焊盘(120)、所述第一金属层(110)、所述压电层(104')和所述第二金属层(116)形成电路径，该电路径允许预设频率范围内的电信号通过。

技术领域

本发明涉及射频(RF)信号滤波器，更具体地，涉及体声波(BAW)滤波器以及制造该体声波滤波器的方法。

背景技术

可以去除不需要的频率范围内的信号的BAW滤波器通常用于各种无线频率通信设备中，例如移动电话。随着各种功能被添加到移动设备的同时移动设备的尺寸和重量被减小，现代移动设备需要具有减小形状的因数和增强品质的因数的BAW滤波器。因此，在过去的十年中，体声波(BAW)滤波器技术一直在迅速发展，以满足通信设备的需求。

通常，BAW滤波器具有在硅、砷化镓或玻璃基板上制造的BAW谐振器。在操作期间，BAW谐振器可能产生需要通过基板排放到BAW滤波器外部的热能。如果热能未被适当地排放，则其可能会影响BAW滤波器的谐振频率、整体性能和耐用性。传统基板的热特性可能不适合从BAW谐振器中有效地去除热能，使得BAW滤波器可能无法用于产生大量热能的设备中。

图10A和图10B示出了形成传统BAW滤波器1000的过程。如图所示，压电层1004沉积在硅晶片1002上，并且第一金属层1006沉积在压电层1004上。由于硅具有相对低的声波速度，所以需要去除压电层1004的操作区域下方的硅晶片的一部分1010，使得压电层1004与第一金属层1006和第二金属层1008直接接触(即，BAW滤波器具有独立式配置)。该过程增加了制造过程。而且，传统的制造过程使用溅射技术在硅晶片1002上沉积压电层1004。然而，当使用溅射技术时，如果压电层1004的厚度小于100埃，则很难控制压电层1004的厚度和均匀性。

这样，需要一种BAW滤波器，该BAW滤波器具有一种以有效方式从BAW滤波器中释放热能的机构，同时在不损害压电层质量的情况下降低了BAW滤波器的制造成本。

发明内容

在实施例中，一种体声波(BAW)滤波器包括：金刚石基板；钝化层，所述钝化层形成在所述金刚石基板上；第一金属层，所述第一金属层形成在所述钝化层上；压电层，所述压电层形成在所述第一金属层上；第二金属层，所述第二金属层形成在压电层上；以及金属焊盘，所述金属焊盘形成在所述第一金属层上。所述金属焊盘、所述第一金属层、所述压电层和所述第二金属层形成电路径，该电路径允许预设频率范围内的电信号通过。

在实施例中，一种制造体声波滤波器的方法包括：形成压电层；在所述压电层的第一表面上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成金刚石基板；在所述压电层的第二表面上形成第二金属层；去除所述压电层的一部分以暴露所述第一金属层的一部分；以及在所述第一金属层的暴露部分上形成金属焊盘。

附图说明

将参考本发明的实施例，其示例可以在附图中示出。这些附图是说明性的，而非限制性的。尽管在这些实施例的上下文中一般地描述了本发明，但是应当理解，其并不旨在将本发明的范围限制为这些特定实施例。

图1至图7示出了根据本公开的实施例的用于形成BAW滤波器的示例性过程。

图8是根据本公开的实施例的图7中的BAW滤波器的俯视图。

图9示出了根据本公开的实施例的用于制造BAW滤波器的示例性过程的流程图。

图10A和图10B示出了用于形成传统BAW滤波器的过程。