[发明专利]透明导电性基板的制造方法、透明导电性基板

权利要求书

1.一种透明导电性基板的制造方法，具有：

图案化步骤，对层叠体基板的层叠体进行图案化，所述层叠体基板包含透明基材和所述层叠体，所述层叠体从所述透明基材侧依次对配置在所述透明基材的至少一个表面上且含有镍和铜的第1黑化层、及含有铜的导电层进行了层叠，

其中，所述图案化步骤具有

藉由可溶解铜的第1蚀刻液对所述导电层进行蚀刻的导电层蚀刻步骤；及

藉由含有氯化物离子和水的第2蚀刻液对所述第1黑化层进行蚀刻的第1黑化层蚀刻步骤，

所述第2蚀刻液的氯化物离子浓度以盐酸换算为10质量％以上。

2.如权利要求1所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

所述层叠体在所述导电层的与所述第1黑化层相对的表面的相反侧的表面上还具有包含镍和铜的第2黑化层，

在所述导电层蚀刻步骤中，藉由所述第1蚀刻液对所述导电层和所述第2黑化层进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

所述层叠体在所述导电层的与所述第1黑化层相对的表面的相反侧的表面上还具有包含镍和铜的第2黑化层，

所述图案化步骤在所述导电层蚀刻步骤之前还具有藉由所述第2蚀刻液对所述第2黑化层进行蚀刻的第2黑化层蚀刻步骤。

4.如权利要求1至3中任一项所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

所述第2蚀刻液含有从氯化铁和氯化铜中选出的1种以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

所述第2蚀刻液含有盐酸和水，

盐酸的浓度为10质量％以上且37质量％以下，

铜离子浓度为0.4质量％以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

所述第2蚀刻液含有盐酸和水，

盐酸的浓度为10质量％以上且37质量％以下，

铁离子浓度为0.2质量％以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的透明导电性基板的制造方法，其中，

在所述图案化步骤之前，还具有

在所述层叠体的与所述透明基材相对的表面的相反侧的表面即露出表面上对光阻进行配置的光阻配置步骤，

所述光阻配置步骤具有

在所述露出表面上形成感光性光阻层的感光性光阻层形成步骤；及

根据欲形成的光阻图案对所述感光性光阻层进行紫外线曝光，并对未曝光部分进行显影，由此形成光阻图案的光阻图案形成步骤。

8.一种透明导电性基板，具有：

透明基材；及

配置在所述透明基材的至少一个表面上的金属细线，

其中，所述金属细线为从所述透明基材侧依次层叠了含有镍和铜的第1黑化配线层、及含有铜的导电配线层之层叠体，

在沿与所述透明基材的一个表面垂直的方向观察的情况下，从所述导电配线层伸出了的所述第1黑化配线层的伸出宽度为0.5μm以下。

9.如权利要求8所述的透明导电性基板，其中，

所述金属细线在所述导电配线层的与所述第1黑化配线层相对的表面的相反侧的表面上还具有包含镍和铜的第2黑化配线层。

10.如权利要求8或9所述的透明导电性基板，其中，

所述第1黑化配线层的、波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值为15％以下。