[发明专利]透明导电膜在审
| 申请号： | 201880035178.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110678938A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 须田具和;高桥明久 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C01G35/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邵秋雨;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电膜 导电性 氧化锡 氧化钽 氧化铌 成膜 基底 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电膜，成膜于基底上，包含
氧化锡、
1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽、以及
0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有1000nm以下的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有100Ω/sq.以下的方块电阻。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有3500μΩ·cm以下的电阻率。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有1000kgf/mm2以上的维氏硬度。
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