[发明专利]透明导电膜

说明书

本发明提供一种透明导电膜，其透明性和导电性优异，进一步具有高的硬度。本发明的一个实施方式的透明导电膜为成膜于基底上的透明导电膜。上述透明导电膜包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。这样的透明导电膜由于包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌，因此具有高的硬度，进一步地，透明性和导电性优异。

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜。

背景技术

在表面保护膜的代表中，有DLC(Diamond Like Carbon)膜。DLC膜例如包含sp³键和sp²键，如果sp³键的比率多，则为金刚石性，如果sp²键的比率多，则为石墨性。例如，当sp³键的比率高时，DLC膜的透明性、高硬度性、绝缘性优异，当sp²键的比率高时，DLC膜的非透明性、低硬度性、导电性优异。DLC膜可用于温度传感器的表面保护膜(参照例如专利文献1)、用于显示面板的表面保护膜(参照例如专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-207396号公报；

专利文献2：日本特开2013-130854号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，在作为表面保护膜要求低电阻的情况下，当在DLC膜中使sp²键的比率增加时，虽然其电阻下降，但是膜的透明性降低、硬度变低。另一方面，当在DLC膜中使sp³键的比率增加时，虽然透明性和硬度提高，但是电阻升高。

鉴于以上情况，本发明的目的在于提供一种透明性和导电性优异，进一步具有高的硬度的透明导电膜。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个实施方式的透明导电膜为成膜于基底上的透明导电膜。上述透明导电膜包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。

这样的透明导电膜由于包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌，因此具有高的硬度，进一步地，透明性和导电性优异。

上述透明导电膜可以具有1000nm以下的厚度。

即使是这样薄的透明导电膜，也具有高的硬度，进一步地，透明性和导电性优异。

上述透明导电膜可以具有100Ω/sq.以下的方块电阻。

根据这样的透明导电膜，方块电阻为100Ω/sq.以下，导电性优异。

上述透明导电膜可以具有3500μΩ·cm以下的电阻率。

根据这样的透明导电膜，电阻率为3500μΩ·cm以下，导电性优异。

上述透明导电膜可以具有1000kgf/mm²以上的维氏硬度。

根据这样的透明导电膜，维氏硬度为1000kgf/mm²以上，硬度优异。

发明效果

如上所述，根据本发明，能够提供一种透明性和导电性优异，进一步具有高的硬度的透明导电膜。

附图说明

图1为形成本实施方式的透明导电膜的成膜装置的示意性截面图。