[发明专利]半导体激光器器件和用于制造半导体激光器器件的方法

权利要求书

1.一种半导体激光器器件，具有：

-半导体芯片(1)，所述半导体芯片设计为发射激光辐射(6)，

-包覆部(2)，所述包覆部是电绝缘的并且局部覆盖所述半导体芯片(1)，和

-连接层(3)，所述连接层将所述半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中

-所述半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，

-所述第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，

-所述包覆部(2)至少局部地在所述覆盖面(1a)、所述第二端面(1d)、所述第一侧面(1e)和所述第二侧面(1f)处覆盖所述半导体芯片(1)，

-所述连接层(3)在所述包覆部(2)上从所述覆盖面(1a)伸展至所述第一连接部位(43a)，以及

-所述包覆部(2)沿着垂直于或横向于所述第一端面(1c)的方向突出于所述第一端面(1c)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器器件，

所述半导体激光器器件是可表面安装的。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)直接与所述半导体芯片(1)的半导体材料、接触材料和/或钝化材料邻接。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)至少局部地覆盖所述第一端面(1c)。

5.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)完全地覆盖所述第一端面(1c)和对于激光辐射(6)是可透过的。

6.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)是可光致结构化的。

7.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

所述半导体激光器器件具有载体(4)，其中所述第一连接部位(43a)和第二连接部位(43b)在所述载体(4)的背离所述半导体芯片(1)的下侧上构成。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)局部地直接与所述载体(4)邻接。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，

-所述载体(4)包括第一连接框架件(44a)和第二连接框架件(44b)，

-所述第一连接框架件(44a)和所述第二连接框架件(44b)直接与所述包覆部(2)邻接并且在横向方向上由所述包覆部(2)包围，和

-所述第一连接框架件(44a)经由所述连接层(3)导电地与所述半导体芯片(1)连接。

10.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，

其中所述载体(4)在横向方向上与所述包覆部(2)平齐。

11.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，

其中所述包覆部(2)局部地作为恒定厚度的层贴合地遮盖所述载体(4)和所述半导体芯片(1)。

12.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

其中灌封体(5)局部地直接与所述包覆部(2)和所述连接层(3)邻接。

13.根据权利要求1或2所述的半导体激光器器件，

所述半导体激光器器件没有载体(4)，其中第二接触部位在所述半导体芯片(1)的所述底面(1b)上构成。