[发明专利]半导体激光器器件和用于制造半导体激光器器件的方法

说明书

提出一种半导体激光器器件，具有：‑半导体芯片(1)，其设计为发射激光辐射(6)，‑包覆部(2)，其是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片(1)，和‑连接层(3)，其将半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中‑半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，‑第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，‑包覆部(2)至少局部在覆盖面(1a)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)处覆盖半导体芯片(1)，以及‑连接层(3)在包覆部(2)上从覆盖面(1a)伸展至第一连接部位(43a)。

背景技术

出版物DE 10 2004 024156描述了一种半导体激光器器件。

发明内容

要解决的目的在于，提出一种半导体激光器器件，其特别紧凑。另一要解决的目的在于，提出一种用于制造这种半导体激光器器件的方法。

提出一种半导体激光器器件。

根据半导体激光器器件的至少一个实施方式，半导体激光器器件包括半导体芯片，所述半导体芯片设计为发射激光辐射。也就是说，在运行中，半导体芯片发射电磁辐射，例如在红外辐射和UV辐射之间的光谱范围中的电磁辐射。电磁辐射尤其具有大的相干长度。例如，半导体芯片设计为，在运行中产生脉冲式的激光辐射。在此，脉冲长度可以在皮秒范围中或在飞秒范围中。

半导体芯片尤其是边发射的半导体激光器芯片，其中激光辐射在半导体芯片的端面、即棱面处出射。

根据半导体激光器器件的至少一个实施方式，器件包括包覆部，所述包覆部是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片。包覆部例如包括电绝缘的基质材料，其他材料的颗粒可以引入到所述基质材料中。包覆部电绝缘地构成并且可以局部直接与半导体芯片邻接。在此可行的是，包覆部直接与半导体芯片的半导体材料、接触材料和/或钝化材料邻接。

根据至少一个实施方式，半导体激光器器件包括连接层，所述连接层将半导体芯片与半导体激光器器件的第一连接部位导电地连接。连接层是由能导电的材料构成的层，所述层例如包括一种金属或多种金属的组合。该层具有如下厚度，所述厚度例如可以在最小1μm和最高15μm之间。连接层的厚度在制造公差的范围内在连接层的总延伸上是恒定的。

此外，连接层具有如下宽度，所述宽度大于连接层的厚度。连接层的宽度例如可以处于半导体芯片的边长的数量级中，例如可以处于半导体芯片的端面处的边长的数量级中。例如，连接层的宽度为至少0.1mm和最高1mm。连接层在此例如可以通过溅射和/或沉积、例如无电流的或电镀的沉积来产生。

根据半导体激光器器件的至少一个实施方式，半导体芯片包括覆盖面、底面、第一端面、第二端面、第一侧面和第二侧面。在此，可行的是，半导体芯片方形地构成并且除了上述面之外不包括其他外面。覆盖面与底面相对置地设置，第一端面与第二端面相对置地设置，并且第一侧面与第二侧面相对置地设置。端面可以与覆盖面、底面和侧面夹有角度，该角度例如在制造公差的范围内在85°和95°之间，尤其为90°。在此，例如第一侧面和第二侧面具有尤其在制造公差的范围内相同的面积，该面积大于第一端面和第二端面的面积。

根据半导体激光器器件的至少一个实施方式，第一端面设计为将激光辐射耦合输出。也就是说，在第一端面处存在半导体芯片的辐射穿透面，在运行中产生的激光辐射通过辐射穿透面从半导体芯片射出。

根据半导体激光器器件的至少一个实施方式，包覆部至少局部地在覆盖面、第二端面、第一侧面和第二侧面处覆盖半导体芯片。换言之，在这些面中的每个面上至少分区域地施加有包覆部的材料。在此可行的是，所述面中的至少一些面完全由包覆部覆盖。