[发明专利]不含六价铬的蚀刻锰真空蒸发系统

说明书

本发明公开了用于从基于锰的蚀刻剂浴中去除水的方法和系统。通过将基于锰的蚀刻剂浴的一部分转移到真空蒸发器以将基于锰的蚀刻剂浴的浓缩部分进行处理并转移回基于锰的蚀刻剂浴，将水从基于锰的蚀刻剂浴中去除。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求2017年7月10日提交的美国临时申请号62/530,564的优先权，该申请据此全文以引用方式并入。

技术领域

本公开涉及不含六价铬的蚀刻锰真空蒸发系统。

背景技术

本部分提供与本公开相关的背景信息，其不一定是现有技术。

金属化非导电基板的许多常规工艺包括蚀刻基板，然后活化，然后进行无电镀金属化。在许多此类常规的工艺中，通过将基板浸渍在铬酸-硫酸混合物中来实现基板的蚀刻。

许多此类蚀刻工艺主要利用六价铬。然而，在过去几年中，六价铬蚀刻剂的使用由于六价铬造成的保健风险而下降。其它方法避免了在蚀刻剂溶液中完全使用铬。为金属化非导电基板而开发的一种此类蚀刻剂溶液包含处于氧化态(包括+2、+3、+4、+5、+6和+7)的Mn离子源。然而，此类蚀刻剂溶液可从环境空气中吸收不需要量的水，从而需要对蚀刻剂溶液进行持续监测和平衡以确保其以最佳方式工作。需要优化此类解决方案。

发明内容

本部分提供了对本公开的总体概述，并且未全面公开其全部范围或其所有特征。

本发明的技术提供了从锰离子源中去除水的方法。该方法包括将锰离子源的至少一部分引导通过导管，其中导管包括用于过滤不溶解的颗粒的过滤器。将锰离子源的被引导通过导管的部分在真空蒸发器中浓缩。将浓缩的部分返回到基于锰的蚀刻剂浴中。在其它实施方案中，浓缩部分包含酸。在其它实施方案中，酸是纯化的。在另外的实施方案中，真空蒸发器包括热源。在甚至另外的实施方案中，基于锰的蚀刻剂浴被配置成蚀刻基板。其它实施方案包括将浓缩部分返回到基于锰的蚀刻剂浴的第二导管。在其它的另外的实施方案中，导管包括单向阀，该单向阀用于防止锰离子源的所述部分经由导管返回到锰离子源。

本发明的技术提供了用于从基于锰的蚀刻剂浴中去除水的附加方法。所述方法包括将基于锰的蚀刻剂浴的至少一部分引导通过导管。导管包括单向阀，该单向阀用于禁止基于锰的蚀刻剂浴的所述部分经由导管返回到基于锰的蚀刻剂浴。真空蒸发器将基于锰的蚀刻剂浴的被引导通过导管的部分浓缩。将浓缩部分返回到基于锰的蚀刻剂浴。在其它实施方案中，导管还包括用于过滤不溶解的颗粒的过滤器。在另外的实施方案中，浓缩部分包含酸。在甚至另外的实施方案中，酸是纯化的。在另外的实施方案中，真空蒸发器还包括热源。在另外的实施方案中，基于锰的蚀刻剂浴被配置成蚀刻基板。在其它附加实施方案中，第二导管将浓缩部分返回到基于锰的蚀刻剂浴。

本公开还提供了用于从基于锰的蚀刻剂浴中去除水的系统。该系统包括基于镭的蚀刻剂浴、第一导管、真空蒸发器和第二导管。第一导管在第一端部处连接到基于锰的蚀刻剂浴，并且在第二端部处连接到真空蒸发器，并且还包括用于过滤不溶解的颗粒的过滤器。第一导管还允许基于锰的蚀刻剂浴的至少一部分流过第一导管进入真空蒸发器中。真空蒸发器从基于锰的蚀刻剂浴的流过第一导管的部分蒸发水并将该部分浓缩。第二导管被配置成用于从真空蒸发器到基于锰的蚀刻剂浴的单向通道。在其它实施方案中，真空蒸发器包括用于加热真空蒸发器的内容物的加热源。在其它实施方案中，基于锰的蚀刻剂浴被配置成蚀刻基板。在另外的实施方案中，浓缩部分包含酸。在另一些实施方案中，第一导管被配置成用于从基于锰的蚀刻剂浴到真空蒸发器的单向通道。

根据本文提供的描述，其它适用领域将变得显而易见。本发明内容中的描述和具体示例仅旨在用于说明目的并且不旨在限制本公开的范围。

附图说明

本文描述的附图仅用于所选实施方案的说明性目的而不是所有可能的具体实施，并且不旨在限制本公开的范围。