[发明专利]从支撑台卸载物体的方法

说明书

一种在卸载过程期间从支撑台卸载物体的方法，所述物体在曝光过程期间通过以下方式被夹持到所述支撑台：向所述物体的中心部分下方的所述支撑台的中心区域施加第一压力；以及向物体的周缘部分下方的支撑台的周缘区域施加第二压力，其中在夹持期间控制所述第一压力和所述第二压力，使得液体被保持在物体与密封构件之间，所述密封构件在支撑台的上表面处径向地定位在所述中心区域与所述周缘区域之间，并且朝向所述物体突出，所述方法包括：朝向环境压力增大所述第一压力；通过减小所述第二压力来去除保持在所述物体与所述密封构件之间的液体中的至少一些液体；以及朝向所述环境压力增大所述第二压力。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月6日提交的欧洲申请17174583.9和于2018年1月18日提交的欧洲申请18152220.2的优先权，这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种在卸载过程期间从支撑台卸载物体的方法、一种光刻设备、一种用于保持物体的光刻设备的支撑台的真空系统、以及一种定位装置。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，所述光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在衬底上被形成图案的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如193nm波长的辐射的光刻设备相比，可以使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备以在衬底上形成更小的特征。

浸没技术已被引入到光刻系统中，使得能够改善较小特征的分辨率。在浸没式光刻设备中，具有相对高折射率的浸没液体的液体层被插置于所述设备的投影系统(通过所述投影系统，被形成图案的束朝向衬底投影)与衬底之间的空间中。所述浸没液体最后覆盖位于所述投影系统的最终元件下方的衬底的部分。因此，至少衬底的经受曝光的部分被浸没在液体中。所述浸没液体的效果是能够对较小特征进行成像，因为曝光辐射在浸没液体中的波长将比在气体中的波长更短。所述液体的效果也可以被认为是增加了系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。

在商业浸没式光刻术中，浸没液体是水。通常，所述水是高纯度的蒸馏水，诸如在半导体制造厂中常用的超纯水(UPW)。在浸没系统中，UPW常常是经过净化提纯的，并且UPW在作为浸没液体供应到空间之前可以经受额外的处理步骤。除水以外，还可以使用具有高折射率的其它液体作为浸没液体，例如：碳氢化合物，诸如氟代烃；和/或水溶液。此外，已经设想到除了液体以外的其它流体用于浸没式光刻术。

在本说明书中，将在说明中提及局部浸没，其中浸没液体在使用时被限制于最终元件与面向最终元件的表面之间的空间。面向的表面是衬底的表面，或者是与衬底的表面共面的支撑台(或衬底支撑件)的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则下文中对衬底的表面的提及也另外或替代地指的是衬底支撑件的表面；反之亦然)。在投影系统与平台之间存在流体处理结构，用于将浸没液体限制于所述空间。由浸没液体填充的空间在平面中小于衬底的顶部表面，并且当衬底与衬底平台在下面移动的同时，所述空间相对于投影系统保持基本静止。

已设想了其它浸没系统，诸如无限制浸没系统(所谓的“全湿式(All Wet)”浸没系统)和浴器浸没系统。在无限制浸没系统中，浸没液体覆盖超过最终元件下方的表面。所述空间外侧的液体以薄的液体膜的形式存在。浸没液体可以覆盖衬底的整个表面，或甚至可以覆盖衬底以及与衬底共面的支撑台。在浴器类型的系统中，衬底被完全浸没在浸没液体的浴器中。