[发明专利]电器件晶片

权利要求书

1.一种具有功能性器件结构的器件晶片，包括：

-载体晶片，包括半导体衬底(SU)；

-压电层(PL)，布置在所述载体晶片上；

-结构化的金属化部，在所述压电层上；

-第一类型和第二类型的功能性器件结构(DS)，通过所述结构化的金属化部来实现，其中

-所述半导体衬底(SU)被完全掺杂并且因此是低欧姆的，或者所述载体晶片至少包括掺杂区。

2.根据前述权利要求所述的器件晶片，其中所述载体晶片包括：

-高掺杂的半导体衬底(SU)；以及

-高欧姆的外延硅层，沉积在所述半导体衬底上。

3.根据前述权利要求之一所述的晶片，

-其中鉴于相应的未掺杂材料，所述半导体衬底(SU)被完全掺杂以增强所述衬底的导电性和导热性；

-其中相反导电性的弱掺杂的并且因此高欧姆的外延硅层(EL)在所述半导体衬底与所述压电层之间跨越所述载体晶片的整个表面而被布置；

-其中空间电荷区域被形成在半导体衬底与所述高欧姆的外延硅层之间。

4.根据前述权利要求所述的晶片，包括所述载体晶片内的第一表面区域和第二表面区域，其中

-第一表面区域和第二表面区域面对所述第一类型和第二类型的相应器件结构(DS)；

-第一表面区域和第二表面区域通过屏障针对彼此被隔离，所述屏障被形成作为围绕的框架或作为线性延伸区；

-所述屏障从所述高欧姆的外延硅层的顶表面穿过所述层至少延伸到所述半导体衬底的顶表面；

-其中所述屏障包括电介质材料或掺杂区，所述掺杂区相对于所述屏障被嵌入的所述高欧姆的外延硅层(EL)被相反地掺杂。

5.根据前述权利要求之一所述的晶片，

其中所述半导体衬底(SU)在它的所述第一表面区域和/或第二表面区域中包括掺杂阱(DW)，所述掺杂阱面对相应的器件结构(DS)；

其中第一表面区域和第二表面区域通过pn结而针对彼此被隔离，所述pn结形成在所述阱与围绕的所述半导体衬底之间的界面处。

6.根据前述权利要求之一所述的晶片，

其中掺杂阱(DW)被布置在所述高欧姆的外延硅层(EL)的所述第一表面区域和第二表面区域中；

其中第一表面区域和第二表面区域通过pn结而针对彼此被隔离，所述pn结形成在所述掺杂阱(DW)与所述高欧姆的外延硅层(EL)之间的界面处。

7.根据前述权利要求之一所述的晶片，

其中所述屏障围绕包括第一表面区域或第二表面区域之一的掺杂阱。

8.根据前述权利要求之一所述的晶片，

其中第一类型和第二类型的所述功能性器件结构(DS)各自包括SAW器件的至少一个声轨(AT)。

9.根据前述权利要求之一所述的晶片，

其中所述器件晶片被适配为在功能性器件结构(DS)与所述半导体晶片(SU)的块状材料之间施加偏置电压，以使得所述半导体晶片的顶表面处的区域被富集有电荷载流子，并且与所述功能性器件一起形成电容性元件，所述电容性元件以中间压电层作为电介质。

10.根据前述权利要求所述的晶片，

其中第一偏置电压被施加到第一功能性器件结构，并且第二偏置电压被施加到第二功能性器件结构，其中第一偏置电压和第二偏置电压不同，以使得不同电容的电容性元件被形成。

11.一种电器件，从根据前述权利要求之一所述的电器件晶片被单片化。