[发明专利]光致抗蚀剂组合物有效
申请号: | 201880038114.1 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN110892325B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 朴贤旻;林敏映;李泰燮 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;吴娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 组合 | ||
本发明涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物,其包含碱溶性树脂,所述碱溶性树脂包含含有其中杂环化合物经由包含具有1至20个碳原子的硫化亚烷基的二价官能团取代的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。
技术领域
本申请要求于2017年11月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0151809号和于2018年7月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0085444号的优先权权益,其全部公开内容通过引入并入本文。
本发明涉及光致抗蚀剂组合物。
背景技术
为了扩展FAB工艺的微加工技术的应用,封装技术也正在变化为用于制造高性能、更薄和更短封装的工艺技术。特别地,随着半导体输入/输出端的增加,扩展了倒装芯片的使用并引入了FOWLP技术。此外,为了使信号延迟最小化的目的,扩展了使得能够实现芯片之间的直接连接的TSV工艺。在这方面,对焊料凸起(bump)的需求增加,并且形成焊料凸起的凸起PR的技术开发非常重要。
在凸起PR的情况下,在范围从10μm到100μm的厚膜中的感光度和分辨率应当是优异的,并且应当通过镀覆过程形成金属凸起。因此,诸如平直度、残留物、基脚和切口特性的图案性能应当是良好的,并且对镀覆液的耐受性应当是优异的。
因此,为了提高在厚膜中的感光度和分辨率,使用化学增幅型光致抗蚀剂。已知该组合物包含通过酸离解以增加其在碱性显影溶液中的溶解度的树脂(下文中称为“碱溶性树脂”)、光敏产酸剂(下文中称为“光致产酸剂”)、酸扩散控制剂、腐蚀抑制剂和特定的溶解抑制剂。
同时,使用金属基底用于镀覆过程。在这种情况下,如果使用根据相关技术的常规光致抗蚀剂组合物,则存在的缺点在于,在显影之后浮渣残留在曝光部分上。因此,需要研究能够改进上述缺点的技术。
发明内容
技术问题
已经作出了本发明以克服上述问题,并且本发明的目的是提供化学增幅型光致抗蚀剂组合物,其可以提高碱性树脂的相容性和溶解度,以防止在使用常规腐蚀抑制剂时通常产生的在显影期间在曝光部分上出现浮渣,可以抑制低分子量物质浸出到镀覆液中的浸出现象,并且可以消除使用单独的腐蚀抑制剂的需要。
技术方案
在本说明书中,提供了化学增幅型光致抗蚀剂组合物,其包含碱溶性树脂,所述碱溶性树脂包含含有其中杂环化合物经由包含具有1至20个碳原子的硫化亚烷基的二价官能团取代的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。
杂环化合物可以为选自三唑类化合物、咪唑类化合物、噻二唑类化合物、三嗪类化合物和苯并咪唑类化合物中的至少一者。
在本说明书中,还提供了由所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物制备的光致抗蚀剂图案。
此外,在本说明书中,提供了使用所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物制备光致抗蚀剂图案的方法。
在下文中,将更详细地描述根据本发明的具体实例的化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
如本文所使用的,术语“具有1至20个碳原子的硫化亚烷基”可以指其中硫(S)元素连接至具有1至20个碳原子的亚烷基的一侧的官能团。
此外,如本文所使用的,术语“碱溶性树脂”是指其中保护基团通过光去保护,从而具有碱溶性特性的树脂。碱溶性树脂是具有被保护基团保护的酸基团的聚合物树脂,并且酸基团可以为例如羧基、酚羟基等。
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