[发明专利]具有多气体注入区的等离子体剥离工具

权利要求书

1.一种用于处理工件的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：

处理室；

等离子体室，其通过分离格栅与所述等离子体室隔开；

感应耦合等离子体源，其被配置为在所述等离子体室中产生等离子体；

基座，其设置在所述处理室内，所述基座被配置为支撑工件；

第一气体注入区，其被配置为在第一平坦表面处将处理气体注入所述等离子体室；以及

第二气体注入区，其被配置为在第二平坦表面处将处理气体注入所述等离子体室；

其中所述分离格栅具有多个孔，所述多个孔被配置为允许在所述等离子体中产生的中性粒子通过而到达所述处理室，

其中所述第一气体注入区提供在邻近所述等离子体室的径向边缘部分且在所述等离子体室的内部的第一平坦表面处，并且所述第二气体注入区提供在所述等离子体室的径向中心部分处且在所述等离子体室的内部的第二平坦表面处，以及

其中所述第一平坦表面与所述等离子体室的顶板相关联，所述第二平坦表面与设置在所述等离子体室内的气体注入插入件的中心部分相关联，所述气体注入插入件具有所述气体注入插入件的所述中心部分和所述气体注入插入件的周边部分，所述气体注入插入件的所述中心部分延伸超过所述气体注入插入件的所述周边部分一定垂直距离，并且所述气体注入插入件具有穿过所述气体注入插件的所述中心部分的气体通道，所述气体通道联接至所述第二气体注入区。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其进一步包括公共气体源，所述公共气体源联接至所述第一气体注入区和所述第二气体注入区。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其进一步包括联接至所述第一气体注入区的第一气体源和联接至所述第二气体注入区的第二气体源。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述第一气体注入区和所述第二气体注入区可进行操作以向所述等离子体室提供不同的气体。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述气体注入插入件邻近所述等离子体室的侧壁限定气体注入通道。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述分离格栅具有形成在所述分离格栅的中心部分上的气体注入孔口，所述气体注入孔口被配置为允许将气体注入所述工件。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中所述气体注入孔口与设置在所述等离子体室内的所述气体注入插入件的所述中心部分同轴地对准。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中所述气体注入孔口联接至穿过在所述等离子体室内设置的所述气体注入插入件的所述中心部分的所述气体通道。

9.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中所述气体注入孔口联接至独立的气体源。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述分离格栅具有形成在所述分离格栅的周边部分上的气体注入孔口，所述气体注入孔口被配置为允许将气体注入所述工件。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，其中所述气体注入孔口联接至独立的气体源。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述分离格栅具有形成在所述分离格栅的中心部分上的第一气体注入孔口和形成在所述分离格栅的周边部分上的第二气体注入孔口，所述第一气体注入孔口和所述第二气体注入孔口被配置为允许将气体注入所述工件。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理设备，其中所述第一气体注入孔口和所述第二气体注入孔口联接至公共气体源。

14.根据权利要求12所述的等离子体处理设备，其中所述第一气体注入孔口和所述第二气体注入孔口联接至独立的气体源。