[发明专利]具有多气体注入区的等离子体剥离工具

说明书

提供了一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，一种用于处理工件的等离子体处理设备包括：处理室，通过分离格栅与处理室隔开的等离子体室，以及被配置为在等离子体室中产生等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理室内的基座，其被配置为支撑工件。该设备具有第一气体注入区，配置为在第一平坦表面处将处理气体注入等离子体室，和第二气体注入区，配置为在第二平坦表面处将处理气体注入等离子体室。分离格栅具有多个孔，该多个孔被配置为允许在等离子体中产生的中性粒子通过而到达处理室。

优先权

本申请要求2017年12月27日提交的标题为“具有多个气体注入区的等离子体剥离工具”的美国临时申请第62/610,582号的优先权的权益，出于所有目的，通过引用将其并入本文。本申请要求2017年6月9日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时申请序列号62/517,365的优先权的权益，通过引用将其并入本文。本申请要求2018年2月9日提交的标题为“具有多个气体注入区的等离子体剥离工具”的美国申请序列第15/892,723号的优先权的权益，出于所有目的，通过引用将其并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用于使用等离子体源处理基板的设备、系统和方法。

背景技术

等离子处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基板的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除以及相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，产生高密度等离子体和反应性物质，以用于处理基板。等离子体剥离设备可用于剥离处理，例如去除光致抗蚀剂。等离子剥离工具可以包括在其中产生等离子体的等离子体室和在其中处理基板的单独的处理室。处理室可以在等离子体室的“下游”，使得基板不会直接暴露于等离子体。分离格栅可用于将处理室与等离子体室隔开。中性粒子可以透过分离格栅，而来自等离子体的带电粒子不能透过。分离格栅可以包括带有孔的材料片。

等离子体剥离工具中的均匀性控制对于提高性能(例如，提高灰化率性能)可能是重要的。在不操纵处理参数的情况下，例如气体压力和流量以及提供给用于产生等离子体的感应线圈的RF功率，很难在等离子剥离工具中调节均匀性。

发明内容

所公开技术的方面和优点将在下面的描述中部分地阐述，或者可以通过描述显然可见，或者可以通过实践公开内容来获知。

本公开的一个示例方面涉及一种等离子体处理设备。等离子体处理设备包括：处理室，通过分离格栅与处理室隔开的等离子体室，被配置为在等离子体室中产生等离子体的感应耦合等离子体源，以及布置在等离子体室中的气体注入插入件。气体注入插入件具有周边部分和中心部分，该中心部分延伸超过周边部分一定垂直距离。该设备包括设置在处理室内的基座，其被配置为支撑半导体晶片。该设备包括第一气体注入区，该第一气体注入区被配置为在第一平坦表面处将处理气体注入等离子体室。该设备包括第二气体注入区，该第二气体注入区被配置为在第二平坦表面处将处理气体注入等离子体室。分离格栅具有多个孔，该多个孔被配置为允许在等离子体中产生的中性粒子通过而到达处理室。

参考以下描述和所附权利要求，可以更好地理解所公开技术的这些和其他特征、方面和优点。结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了所公开技术的实施例，并且与说明书一起用于解释所公开技术的相关原理。

附图说明

参考附图，在说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的对实施例的详细讨论，其中：

图1示出了示例性等离子体剥离工具；

图2示出了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体剥离工具的一部分；

图3示出了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体剥离工具的一部分；

图4示出了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体剥离工具的一部分；