[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包含：

密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；

照射部，对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面在氧浓度保持为低于1％的环境中照射真空紫外线；及

成膜部，通过对已利用所述照射部照射真空紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜，

所述照射部以使在所述成膜部中的基板的所述一面相对于所述处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式，在利用所述成膜部供给处理液之前预先调整真空紫外线的照射量。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述有机材料包含六甲基二硅氮烷。

3.一种基板处理装置，包含：

密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；

照射部，对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射真空紫外线；及

成膜部，通过对已利用所述照射部照射真空紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜，

所述有机材料包含六甲基二硅氮烷，

所述密接强化部以使基板的所述一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基的方式对基板的所述一面供给所述密接强化剂，且

所述照射部以使基板的所述一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷的方式，在氧浓度保持为低于1％的环境中对基板的所述一面照射真空紫外线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中所述处理液包含感光性材料。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述照射部以使在所述成膜部中的基板的所述一面相对于所述处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式，在利用所述成膜部供给处理液之前预先调整真空紫外线的照射量。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其进而包含冷却部，所述冷却部对通过所述照射部照射真空紫外线后且通过所述成膜部形成所述处理膜前的基板进行冷却。

7.一种基板处理装置，包含：

密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；

照射部，对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射紫外线；及

成膜部，通过对已利用所述照射部照射紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜，

所述密接强化部包含载置基板的载置部，

所述基板处理装置进而包含搬送部，所述搬送部设置成可一边保持基板一边在用以将基板交接至所述载置部上的交接位置与所述密接强化部的外部位置之间移动，

所述密接强化部对载置于所述载置部的基板供给密接强化剂，且

所述照射部在所述搬送部保持基板并从所述交接位置移动到所述外部位置时，对由所述搬送部所保持的基板照射紫外线。

8.一种基板处理方法，包含如下步骤：

通过密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；

对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射真空紫外线；及

通过对已利用照射部照射真空紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜，

所述照射真空紫外线的步骤包含以使在所述形成处理膜的步骤中的基板的所述一面相对于所述处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式，在所述形成处理膜的步骤之前，在氧浓度保持为低于1％的环境中预先调整真空紫外线的照射量。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中所述有机材料包含六甲基二硅氮烷。