[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明的基板处理装置包含：密接强化部(610)，对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；照射部(620)，对已通过密接强化部(610)供给密接强化剂的基板(W)的一面照射紫外线；及成膜部，通过对已利用照射部(620)照射紫外线的基板(W)的一面供给处理液，而在基板(W)的一面形成处理膜。本发明的基板处理方法包含如下步骤：通过密接强化部(610)对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；对已通过所述密接强化部(610)供给所述密接强化剂的基板(W)的所述一面照射紫外线；及通过对已利用所述照射部(620)照射紫外线的基板(W)的所述一面供给处理液，而在基板(W)的所述一面形成处理膜。

技术领域

本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

在半导体装置等的制造中的光刻步骤中，通过在基板的被处理面上涂布光阻液，而在基板的被处理面上形成光阻膜。在该情况下，如果在基板的被处理面的亲水性较高的状态下形成光阻膜，则基板的被处理面与光阻膜的密接性变低。因此，存在光阻膜从基板的被处理面剥离的可能性。在是，通过在形成光阻膜前，对基板的被处理面供给HMDS(六甲基二硅氮烷)等密接强化剂，从而提高基板的被处理面的疏水性(例如参照专利文献1)。

[专利文献1]日本专利特开2005-93952号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

另一方面，如果基板的被处理面的疏水性较高，则当涂布光阻液时，光阻液容易在被处理面上凝聚。因此，视光阻液的种类不同，会出现无法以覆盖被处理面的所期望的区域的方式涂布光阻液的情况。其结果为，无法适当地形成光阻膜，从而产生处理不良。

本发明的目的在于提供一种能够适当地在基板的一面形成处理膜的基板处理装置以及基板处理方法。

[解决问题的技术手段]

(1)基于本发明的一态样的基板处理装置包含：密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；照射部，对已通过密接强化部供给密接强化剂的基板的一面照射紫外线；及成膜部，通过对已利用照射部照射紫外线的基板的一面供给处理液，在基板的一面形成处理膜。

在该基板处理装置中，通过供给密接强化剂而提高基板的一面的疏水性之后，通过照射紫外线而调整基板的一面的疏水性。由此，当对基板的一面涂布处理液时，将基板的一面相对于处理液的接触角控制于适当的范围。由此，能够在基板的一面的所期望的区域适当地涂布处理液，且能够确保基板的一面与处理膜的密接性。因此，能够在基板的一面适当地形成处理膜。

(2)有机材料也可包含六甲基二硅氮烷。在该情况下，能够抑制成本的增大并提高基板的一面的疏水性。

(3)密接强化部也可以使基板的一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基的方式对基板的一面供给密接强化剂，且照射部以使基板的一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷的方式对基板的一面照射紫外线。在该情况下，能够适当地调整基板的一面的疏水性。

(4)处理液也可包含感光性材料。在该情况下，能够在基板的一面适当地形成包含感光性材料的感光性膜。

(5)照射部也可以使基板的一面相对于处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式调整紫外线的照射量。在该情况下，能够将基板的一面的疏水性调整为所期望的程度，使得能够在基板的一面上适当地涂布处理液。

(6)基板处理装置也可进而包含冷却部，该冷却部对通过照射部照射紫外线后且通过成膜部形成处理膜前的基板进行冷却。在该情况下，能够将基板的温度调整为适合形成处理膜的温度。由此，能够更加良好地形成处理膜。