[发明专利]气体供应系统在审
申请号: | 201880039077.6 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN110785221A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 林泰俊;金志勋;姜泰旭 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | B01F3/00 | 分类号: | B01F3/00;C23C16/00;F17C5/00;G05D7/00;G05D16/00 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主控制器 电磁阀 气动阀 致动 气体供应控制装置 气罐装置 感测 处理气体供应 气体供应系统 控制电磁阀 异常状态 子控制器 阀致 配备 | ||
本发明的气体供应系统配备有气罐装置,该气罐装置具有将处理气体供应到处理室的气动阀,和通过向所述气动阀供应或停止阀致动气体的流来打开或关闭所述气动阀的电磁阀;和控制电磁阀的致动的气体供应控制装置。另外,所述气体供应控制装置包括主控制器,其在正常操作期间控制所述电磁阀的致动;和子控制器,其感测所述主控制器的异常状态,并且如果感测到异常,则代替所述主控制器控制所述电磁阀的致动。
本申请要求于2017年6月15日提交的KR申请号:10-2017-0075558的优先权,所述申请通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及用于将处理气体供应到半导体设施的气体供应系统和方法。
背景技术
通常,半导体通过重复执行多种工艺来制造,包括光刻、蚀刻和薄膜形成。大多数这样的制造工艺是通过封闭的处理室内的处理气体执行的。为此,气体供应装置被用于各种工业设施中,例如半导体制造设备。
气体供应系统包括:在其中存储高压气体的储存罐,其可以是气罐;通过连接管连接到储存罐的气体供应控制装置;且气体供应控制装置控制从储罐流出的气体流,以便通过工艺管线供应气体。
气体供应控制装置可以通过打开和关闭气动阀来控制流入处理室中的处理气体。在这种情况下,可以通过电磁阀来开启(打开)/关掉(关闭)气动阀。
在半导体制造工艺中,气体的连续供应是至关重要的。如果出现问题(即控制装置的故障),例如气体供应控制装置的异常状态,例如主电源中断导致电磁阀故障,则可能由于在气动阀关闭时突然中断处理气体供应而发生工艺缺陷。
本申请人提交的KR专利号10-0347227提出了一种方法,该方法通过感测控制装置的故障并生成单独的处理信号来将阀保持在打开状态,从而避免如上文所描述的气体供应的突然停止。
然而,在所述专利中,尽管在感测到控制装置中的故障时气动阀可以保持打开,但是不可能启动能够防止处理气体液化的加热器。另外,所述专利的缺点在于,由于不能接收模拟信号,所以无法获知处理气体的压力和气罐的重量等。
另外,在所述专利中,当控制装置中发生故障时,气体供应控制装置与中央控制室之间的通信变为不可能。结果,通过中央控制室的气体监测变为不可能,并且中央控制室也不可能了解气体供应系统的准确状态。
发明内容
因此,由于本发明设计为解决现有技术中的上述问题,本发明的目的是提供一种气体供应系统,该气体供应系统控制气体供应以使得即使在控制装置中存在故障时气体供应也不会被中断;感测处理气体压力和气罐重量等;并且使得能够启动和控制加热器。
本发明的另一个目的是提供一种气体供应系统,使得当在控制装置中感测到故障时,压力、重量和加热器信息被传输到气体监测系统,使得可以准确地了解气体供应装置的状况。
为了实现上述目的,本发明的气体供应系统配备有气罐装置,该气罐装置具有一个或多个控制将处理气体供应到处理室或一个或多个处理室的气动阀,所述气动阀位于将储存罐或气罐流体连接至处理室的供应管线中,以及电磁阀(或一个或多个电磁阀),所述电磁阀通过向各个所述气动阀(或一个或多个气动阀)供应或停止阀致动气体的流来打开或关闭所述气动阀(或分别地一个或多个气动阀);以及气体供应控制装置,其控制电磁阀(或一个或多个电磁阀)的致动。另外,所述气体供应控制装置包括主控制器,其在正常操作期间控制电磁阀(或一个或多个电磁阀)的致动,和子控制器,其感测所述主控制器的异常状态,并且在感测到异常时,代替主控制器控制所述电磁阀(或一个或多个电磁阀)的致动。此处,所述主控制器和所述子控制器通过数字接口共享数字感测信息,和/或所述主控制器和子控制器通过模拟接口共享模拟感测信息。
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