[发明专利]用以改善氮化镓间隔件厚度均匀度的增强型氮化镓晶体管

权利要求书

1.一种在包围晶体管栅极的区域中形成有均匀间隔件层的晶体管的方法，所述方法包括：

提供晶体管栅极结构，包括：

障壁层；

间隔件层，所述间隔件层设置在该障壁层上面，所述间隔件层包括III-V族材料；

第一层，所述第一层包括设置在所述间隔件层上面的p型或补偿III-V族材料；

蚀刻终止层，所述蚀刻终止层包括设置在所述间隔件层和包括p型或补偿III-V族材料的所述第一层上面的p型含铝III-V族材料；以及

第二层，所述第二层包括位于所述蚀刻终止层上面的p型或补偿III-V族材料，包括p型或补偿III-V族材料的所述第二层比包括p型或补偿III-V族材料的所述第一层厚；

在包括p型或补偿III-V族材料的所述第二层的栅极区上面安置屏蔽；用对于所述蚀刻终止层的所述p型含铝III-V族材料有选择性的蚀刻配方，来执行包括p型或补偿III-V族材料的所述第二层在所述栅极区外的第一蚀刻，致使所述蚀刻在所述蚀刻终止层中止；用对于所述蚀刻终止层的是p型含铝III-V族材料无选择性的蚀刻配方，通过所述屏蔽来执行第二蚀刻，致使所述蚀刻终止层和包括p型或补偿III-V族材料的所述第一层在受所述屏蔽覆盖的所述栅极区之外被完全蚀刻，并且在受所述屏蔽覆盖的所述栅极区之外的整个间隔件层被部分地和均匀地蚀刻。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔件层包括GaN。

3.如权利要求2所述的方法，其中p型或补偿III-V族材料的所述第一层和所述第二层包括pGaN，并且所述蚀刻终止层包括pAlGaN或pAlInGaN。

4.如权利要求2所述的方法，其中p型或补偿III-V族材料的所述第一层和所述第二层包括pAlGaN或pAlInGaN，并且所述第一层和所述第二层的铝含量小于所述蚀刻终止层的铝含量。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括设置在包括p型或补偿III-V族材料的所述第二层上面的一附加蚀刻终止层，以及设置在所述附加蚀刻终止层上面的p型或补偿III-V族材料的附加层，其中所述结构在所述障壁层与所述蚀刻终止层之间的厚度小于所述结构在所述蚀刻终止层与所述附加蚀刻终止层之间的厚度，并且其中，对于所述附加蚀刻终止层执行附加蚀刻，导致蚀刻为渐变式。