[发明专利]光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜

说明书

本发明涉及光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂组合物能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能，并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0158924号和于2018年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0131270号的申请日的权益，它们的全部内容通过引用并入本文。

本发明涉及光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜。更具体地，本发明涉及这样的光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂组合物能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能，并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。

背景技术

光加工已成为主流微加工技术，并且封装技术不断变化为用于制造高密度封装的工艺。

特别地，随着半导体输入/输出端的数量增加，扩展倒装芯片的使用并且正在引入FOWLP(Fan-Out Wafer Level Packaging，扇出型晶圆级封装)技术。此外，扩展实现芯片之间的直接连接以使信号延迟最小化的TSV(Through Silicon Via，硅通孔)工艺。在这方面，对凸起(bump)技术的需求增加，并且形成凸起的凸起光致抗蚀剂的技术开发被认为非常重要。

在凸起光致抗蚀剂的情况下，(i)在10微米至100微米的厚膜中的感光度和分辨率应为优异的；(ii)应通过镀覆过程形成金属凸起，因此图案性能例如平直度、残留特性、基脚(footing)特性和切口特性应为良好的；以及(iii)对镀覆液的耐受性应为优异的。

因此，使用光致抗蚀剂以提高厚膜中的感光度和分辨率。通常，上述光致抗蚀剂组合物包含：(a)树脂，其通过酸离解以增加其在碱性显影液中的溶解度；(b)光敏产酸剂(光致产酸剂)；以及(c)酸扩散控制剂。

然而，通常向现有的光致抗蚀剂组合物中添加腐蚀抑制剂，但存在如下问题：抗蚀剂组合物的制造生产率降低，例如腐蚀抑制剂的溶解性差，腐蚀抑制剂没有很好地溶解，或者搅拌时间延长；此外，在形成抗蚀剂图案之后在镀覆过程中抗蚀剂图案中包含的腐蚀抑制剂溶解在镀覆液中，从而污染镀覆液。

在这方面，需要开发这样的新光致抗蚀剂组合物，其能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能，并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。

发明内容

技术问题

本发明的一个目的是提供光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能，并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。

本发明的另一个目的是提供使用上述光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂膜。

技术方案

本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含(甲基)丙烯酸类树脂，所述(甲基)丙烯酸类树脂包含(甲基)丙烯酸类重复单元和键合至所述重复单元的支链末端的由以下化学式1表示的官能团。

[化学式1]

在化学式1中，R₁和R₂各自独立地为氢、羧基、基于聚氧化烯的官能团、具有1至20个碳原子的烷基、或具有6至20个碳原子的芳基，或者R₁和R₂彼此连接以形成具有3至20个碳原子的环烷基。

本发明还提供了光致抗蚀剂膜，其特征在于基脚长度与光致抗蚀剂膜厚度之比为0.05或更小。