[发明专利]治疗Dravet综合征的方法

说明书

本文提供治疗Dravet综合征的方法，其包括向需要所述治疗的受试者施用有效量的T‑型钙通道拮抗剂。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年4月26日提交的美国专利申请序列号：62/490,357的权益。该在先申请的公开被认为是本申请的公开的一部分(且通过引用并入本申请)。

技术领域

本公开涉及通过施用药物化合物治疗疾病。特别地，本公开涉及通过施用T-型钙通道拮抗剂来治疗Dravet综合征。

背景技术

T-型钙通道是低电压激活的钙通道，所述低电压激活的钙通道在膜去极化过程中开放，并在动作电位或去极化信号后介导钙流入细胞。T-型钙通道已知存在于心肌和平滑肌中，且也存在于中枢神经系统内的许多神经元细胞中。T-型钙通道(瞬时开放钙通道)因他们被更多的负膜电位激活的能力，他们的小的单通道电导，及他们对靶向L-型钙通道的传统钙通道拮抗剂药物无响应，而与L-型钙通道(持久钙通道)不同。

小的膜去极化后，T-型钙通道开放。T-型钙通道已主要在神经元和心肌细胞功能的背景下进行了研究，并已涉及超兴奋性病症，诸如癫痫病和心脏功能异常。电压门控钙通道通常不在非可兴奋细胞中表达，但有证据表明T-型钙通道在非可兴奋谱系的癌细胞中表达。

T-型钙通道通过小的膜去极化被激活和失活，并展示缓慢的失活速度。因此，这些通道可在低膜电位下携带去极化电流并介导细胞“窗口(window)”电流，所述“窗口”电流在低或静息膜电位下，在激活和稳定状态失活之间的电压重叠内发生。T-型钙通道可将窗口电流维持在未受刺激或静息膜电位，从而允许一部分未失活的通道携带的持续的向内的钙电流。窗口电流的介导允许T-型钙通道在未受刺激或静息的细胞条件下，在电激发细胞(诸如神经元)和非可兴奋组织中调节细胞内钙水平。

电压门控钙通道由几个亚基组成。α₁亚基是形成该通道的跨膜孔的主要亚基。α₁亚基还决定钙通道的类型。仅在某些类型的钙通道中存在的β、α₂δ和γ亚基是在通道中起次要作用的辅助亚基。所述α₁亚基由四个结构域(I-IV)组成，每个结构域含有6个跨膜片段(S1-S6)，且每个结构域的S5和S6片段之间的疏水环形成通道的孔。T-型钙通道的亚型由特定的α₁亚基定义，如表1所示。

表1.T-型钙通道亚型