[发明专利]弹性波装置、分波器以及通信装置有效
申请号: | 201880041666.8 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110771039B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 伊藤干;岸野哲也 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 分波器 以及 通信 | ||
1.一种弹性波装置,其具有:
基板;
多层膜,位于所述基板上;
LT层,位于所述多层膜上,且由LiTaO3的单晶构成;和
IDT电极,位于所述LT层上,
所述多层膜中,从将具有比所述LT层的横波声速高的声速的膜的密度与厚度相乘的值的合计值,减去将具有比所述LT层的横波声速慢的声速的膜的密度与厚度相乘的值的合计值而得到差值为负,
在将所述IDT电极的电极指的间距设为p时,所述LT层的厚度小于2p。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述LT层与所述多层膜的厚度的合计小于p。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述LT层的厚度为0.6p以上且小于0.8p。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述基板具有比所述LT层的横波声速高的声速。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述多层膜从所述LT层侧起依次存在声速比所述LT层慢的第1低声速膜、和具有所述LT层与第1低声速膜之间的声速的第2低声速膜。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置,其中,
所述第1低声速膜包含Ta2O5,所述第2低声速膜包含SiO2,
所述差值为-366kg·p/cm3以上且-216kg·p/cm3以下。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置,其中,
所述LT层的厚度为0.74p±0.09p,所述第1低声速膜的厚度为0.029p±0.008p,所述第2低声速膜的厚度为0.028p±0.012p。
8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述多层膜从所述LT层侧起依次存在声速比所述LT层慢的第1低声速膜、和具有比所述第1低声速膜慢的声速的第2低声速膜。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置,其中,
所述第1低声速膜包含SiO2,所述第2低声速膜包含Ta2O5,
所述差值为-417kg·p/cm3以上且-197kg·p/cm3以下。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
所述LT层的厚度为0.67p±0.06p,所述第1低声速膜的厚度为0.068p±0.014p,所述第2低声速膜的厚度为0.039p±0.009p。
11.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述多层膜从所述LT层侧起依次存在声速比所述LT层快的第1高声速膜、声速比所述LT层慢的第1低声速膜。
12.根据权利要求11所述的弹性波装置,其中,
所述第1高声速膜包含Si3N4,所述第1低声速膜包含Ta2O5,
所述差值为-732kg·p/cm3以上且-521kg·p/cm3以下。
13.根据权利要求12所述的弹性波装置,其中,
所述LT层的厚度为0.65p±0.15p,所述第1高声速膜的厚度为0.052p±0.013p,所述第1低声速膜的厚度为0.1p±0.011p。
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