[发明专利]半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体、以及第一半导体，

其中，所述第一半导体包括第一面及第二面，

所述第一绝缘体的第一侧面及第二侧面位于隔着所述第一导电体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第一导电体的第一侧面位于所述第一半导体的所述第一面，

所述第一绝缘体的第一侧面位于所述第一导电体的第二侧面，

所述第二绝缘体位于包括所述第一绝缘体的第二侧面、所述第一绝缘体的顶面、所述第一导电体的顶面及所述第一半导体的所述第二面的区域，

所述第三绝缘体位于形成有所述第二绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第四绝缘体位于所述第三绝缘体的形成面及隔着所述第二绝缘体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第二导电体位于形成有所述第四绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第三绝缘体具有储存电荷的功能，

通过对所述第二导电体供应电位，在所述第一半导体的所述第二面和所述第三绝缘体之间隔着第二绝缘体引起隧道电流。

2.一种半导体装置，包括：

第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体、第一半导体及第二半导体，

其中，所述第一半导体包括第一面及第二面，

所述第一绝缘体的第一侧面及第二侧面位于隔着所述第一导电体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第一导电体的第一侧面位于所述第一半导体的所述第一面，

所述第一绝缘体的第一侧面位于所述第一导电体的第二侧面，

所述第二绝缘体位于包括所述第一绝缘体的第二侧面、所述第一绝缘体的顶面、所述第一导电体的顶面及所述第一半导体的所述第二面的区域，

所述第三绝缘体位于形成有所述第二绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第四绝缘体位于所述第三绝缘体的形成面及隔着所述第二绝缘体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第二半导体位于隔着所述第四绝缘体与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第二导电体位于所述第二半导体的形成面及形成有所述第四绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第三绝缘体具有储存电荷的功能，

通过对所述第二导电体供应电位，在所述第一半导体的所述第二面和所述第三绝缘体之间隔着第二绝缘体引起隧道电流。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述第三绝缘体还位于形成有所述第二绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域

并且，所述第三绝缘体位于在所述第二绝缘体和所述第四绝缘体之间与它们重叠的区域。

4.一种半导体装置，包括：第一绝缘体、第二绝缘体、第四绝缘体、第一至第三导电体、以及第一半导体，

其中，所述第一半导体包括第一面及第二面，

所述第一绝缘体的第一侧面及第二侧面位于隔着所述第一导电体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第一导电体的第一侧面位于所述第一半导体的所述第一面，

所述第一绝缘体的第一侧面位于所述第一导电体的第二侧面，

所述第二绝缘体位于包括所述第一绝缘体的第二侧面、所述第一绝缘体的顶面、所述第一导电体的顶面、所述第一半导体的所述第二面的区域，

所述第三导电体位于隔着所述第二绝缘体与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第四绝缘体位于所述第三导电体的形成面、形成有所述第二绝缘体的区域中的隔着所述第三导电体与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域、以及形成有所述第二绝缘体的区域中的隔着所述第二绝缘体与所述第一半导体的所述第一面重叠的区域，

所述第二导电体位于形成有所述第四绝缘体的区域中的与所述第一半导体的所述第二面重叠的区域，

所述第三导电体具有储存电荷的功能，

通过对所述第二导电体供应电位，在所述第一半导体的所述第二面和所述第三导电体之间隔着第二绝缘体引起隧道电流。