[发明专利]半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备

说明书

提供一种存储容量大的半导体装置。一种包括第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体及第一半导体的半导体装置，其中第一半导体包括第一面及第二面。第一导电体的第一侧面在于第一半导体的第一面，第一绝缘体的第一侧面在于第一导电体的第二侧面。第二绝缘体在于包括第一绝缘体的第二侧面及顶面、第一导电体的顶面、第一半导体的第二面的区域。第三绝缘体在于第二绝缘体的形成面，第四绝缘体在于第三绝缘体的形成面。第二导电体在于形成有第四绝缘体的区域中的与第一半导体的第二面重叠的区域。第三绝缘体具有储存电荷的功能。通过对第二导电体供应电位，隔着第二绝缘体在第一半导体的第二面和第三绝缘体之间引起隧道电流。

技术领域

本发明的一个方式涉及半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备。

另外，本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、处理器、电子设备、这些装置的驱动方法、制造方法、检测方法或包括其中的至少一个的系统。

背景技术

近年来，将中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、存储装置、传感器等电子构件用于个人计算机、智能手机、数码相机等各种电子设备，并且在微型化及低功耗等各种方面上改良该电子构件。

尤其是，上述电子设备等所利用的数据量增加，因此需求存储容量较大的存储装置。作为增加存储容量的方法，例如在专利文献1中公开了作为其沟道形成区域使用金属氧化物的三维结构的NAND存储元件。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]美国专利第9634097号说明书

发明内容

发明所要解决的技术问题

构成存储元件等的晶体管的半导体层分类为沟道形成区域及低电阻区域。特别是，在作为三维结构的NAND存储元件的半导体层使用金属氧化物的情况下，如何形成该金属氧化物的低电阻区域是非常重要的。在用作晶体管的半导体层的金属氧化物中，载流子密度低(或在本说明书等中，有时换称为本征或实质上本征)的区域被用作沟道形成区域，载流子密度高的区域被用作低电阻区域。因此，在制造作为半导体层使用金属氧化物的三维结构的NAND存储元件时，有分别形成沟道形成区域和低电阻区域的课题。

本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括新颖的半导体装置的存储装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用包括新颖的半导体装置的存储装置的电子设备。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种数据容量大的存储装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的存储装置。

注意，本发明的一个方式的目的不局限于上述目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。另外，其他目的是上面没有提到而将在下面的记载中进行说明的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上面没有提到的目的。此外，本发明的一个方式实现上述目的及其他目的中的至少一个目的。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有的上述目的及其他目的。

解决技术问题的手段

(1)