[发明专利]切割用基体膜在审
| 申请号： | 201880043105.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110800084A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 栗原启太;末藤壮一;塚田章一 | 申请（专利权）人： | 郡是株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B27/32;B32B27/40;C09J7/29 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基体膜 切割 树脂组合物 背面层 中间层 聚氨酯系树脂 聚乙烯系树脂 低温条件 复原性 回收性 伸展 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，
表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，
中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。
2.根据权利要求1所述的切割用基体膜，其中，所述表层和/或背面层为单层或多层。
3.根据权利要求1或2所述的切割用基体膜，其中，所述聚乙烯系树脂为选自支链状低密度聚乙烯即LDPE、直链状低密度聚乙烯即LLDPE、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物即EVA、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物即EMA、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸丁酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物即EMMA、乙烯－甲基丙烯酸共聚物即EMAA及离聚物树脂中的至少1种树脂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的切割用基体膜，其中，所述聚氨酯系树脂为热塑性聚氨酯树脂即TPU。
5.一种切割膜，其在权利要求1～4中任一项所述的切割用基体膜的表层侧依次设有粘合剂层和芯片接合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
