[发明专利]切割用基体膜

说明书

本发明的目的在于提供一种切割用基体膜，其因热所致的复原性高且机架回收性优异。本发明的目的还在于提供一种切割用基体膜，即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，该切割用基体膜也均匀地伸展。一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。

技术领域

本发明涉及一种切割用基体膜，在将半导体晶圆切割成芯片状时该切割用基体膜贴附并固定在半导体晶圆上来使用。

背景技术

作为制造半导体芯片的方法，有下述方法：预先以大面积来制造半导体晶圆，接着，将该半导体晶圆切割(切断分离)为芯片状，最后拾取被切割的芯片。作为半导体晶圆的切断方法，近年来，已知使用激光加工装置在不接触半导体晶圆状态下切断(分割)半导体晶圆的隐形切割。

作为提高基于隐形切割的半导体晶圆的切断性(分割性)的方法，已知一种晶圆加工用带，其通过在－15～5℃的低温条件下实施扩展来抑制设置在切割带上的芯片接合膜的伸长，并且通过使应力增加的方法，而将半导体晶圆和芯片接合膜一并良好地切断(分割)(专利文献1及2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－185584号公报

专利文献2:日本特开2015－185591号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供一种切割用基体膜，其因热所致的复原性高、机架(日文：ラック)回收性优异。

本发明的目的还在于提供一种切割用基体膜，即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，该切割用基体膜也均匀地伸展。

本发明的目的还在于提供一种切割用基体膜，隐形切割(激光切割)后，在对半导体晶圆和芯片接合层进行切断(分割)的情况下，即使在低温条件(－15～5℃)及高速条件下实施扩展，该切割用基体膜也良好地伸展。

用于解决课题的方案

在半导体制造生产线中，希望将扩展工序后仍残留有加工过程中的制品的片(包含切割用基体膜的切割膜)暂时保管在机架中。此时若为片中残留有松弛的状态，则有引发不能良好地收纳在机架中、制品彼此碰撞而产生缺陷等问题的倾向。该机架是业界使用的名称，此外也被称为拉链(日文：ジッパー)或盒子(日文：ケース)等。

为了解决该课题，需要在扩展工序后将片的松弛消除。作为其方法而存在有热收缩技术(加热收缩复原技术)。其是如下技术：对由于扩展工序而产生的松弛部进行加热，从而使该部分收缩，消除松弛(即，加热收缩所引起的复原率高)。

人们要求：例如，即使在于－15～5℃的低温条件下实施了扩展的情况下，切割膜也均匀伸展，半导体晶圆被良好地切断。

人们还要求：例如，在隐形切割后，即使在于上述低温条件且高速条件下实施了扩展的情况下，切割膜也良好地伸展，半导体晶圆和芯片接合层被良好地切断(分割)。

本发明人为了解决上述课题进行了深入研究。

我们发现：通过使切割用基体膜包含下述的按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成、且中间层使用聚氨酯系树脂，从而通过热收缩技术(加热收缩复原技术)可良好地消除扩展工序后的片(包含切割用基体膜的切割膜)的松弛。

对于上述切割用基体膜而言，我们发现：即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，切割膜也均匀地伸展。对于上述切割用基体膜而言，我们发现：即使在于低温条件且高速条件下实施了扩展的情况下，切割膜也良好地伸展。

项1.