[发明专利]半导体装置、以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880043274.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110832628A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤祐司;浦地刚史;藤田淳;吉田基 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备：
半导体基板；
铜电极层，形成于所述半导体基板上；
金属薄膜层，形成于所述铜电极层上，与外周部相比在内侧具有使所述铜电极层露出的开口部，所述金属薄膜层防止所述铜电极层的氧化；以及
以铜为主要成分的布线构件，具有覆盖所述开口部的接合区域，所述布线构件接合于所述金属薄膜层且在所述开口部处接合于所述铜电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述金属薄膜层为两层以上的层叠构造。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
所述布线构件在所述接合区域的所述开口部处在多个部位处与所述铜电极层接合。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述金属薄膜层在所述接合区域具备膜厚不同的区域。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述金属薄膜层的合计的厚度为1nm以上且小于1000nm。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述金属薄膜层包含金、银、钯、镍、钴、铬、铝、钛、氮化钛、钛钨合金中的任意个。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述铜电极层为通过无电解镀敷、电解镀敷、溅射、烧结中的任意方式而形成的膜。
8.一种半导体装置的制造方法，具备：
半导体基板准备工序，准备半导体基板；
铜电极层形成工序，在所述半导体基板上形成铜电极层；
金属薄膜层形成工序，在所述铜电极层上形成金属薄膜层；以及
布线构件接合工序，在所述金属薄膜层的接合区域形成开口部，将以铜为主要成分的布线构件接合于所述金属薄膜层和从所述开口部露出的所述铜电极层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体装置的制造方法具备铜电极层加工工序，在该铜电极层加工工序中在所述铜电极层的正面形成凹凸。
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