[发明专利]半导体装置、以及半导体装置的制造方法

说明书

得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合形成中的铜电极与引线的接合不良的产生的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；铜电极层(2)，形成于半导体基板(1)上；金属薄膜层(3)，形成于铜电极层(2)上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层(2)露出的开口部(31)，所述金属薄膜层(3)防止铜电极层(2)的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件(4)，具有覆盖开口部(31)的接合区域(20)，所述布线构件(4)接合于金属薄膜层(3)且在开口部(31)处接合于铜电极层(2)。

技术领域

本发明涉及使用铜电极的半导体装置以及使用铜电极的半导体装置的制造方法。

背景技术

作为以往的半导体装置，公开了在半导体元件上设置铜凸块并铜引线(wire)连接于铜凸块上的半导体装置。另外，公开了为了防止铜凸块氧化而在铜凸块上形成了防氧化膜的半导体装置(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-22692号公报(第6页，第3图)

发明内容

然而，在以往的半导体装置中将铜引线接合于铜凸块，有时在接合铜引线时形成于铜凸块上的防氧化膜的在与铜引线的接合区域以外的部分也被去除，有时接合区域以外的防氧化膜被去除而露出的铜凸块表面被氧化，从而产生铜凸块与铜引线的接合不良。

本发明是为了解决如上所述的问题点而完成的，其目的在于得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合部处的接合不良的产生的半导体装置。

本发明的半导体装置具备：半导体基板；铜电极层，形成于半导体基板上；金属薄膜层，形成于铜电极层上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层露出的开口部，所述金属薄膜层防止铜电极层的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件，具有覆盖开口部的接合区域，所述布线构件接合于金属薄膜层且在开口部处接合于铜电极层。

根据本发明，设置了具有与铜电极层和金属薄膜层接合的接合区域的布线构件，所以能够将铜电极层与布线构件接合，能够抑制接合不良的产生。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的平面构造示意图。

图2是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的剖面构造示意图。

图3是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图4是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图5是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图6是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图7是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图8是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图9是示出本发明的实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图10是示出本发明的实施方式2中的半导体装置的平面构造示意图。

图11是示出本发明的实施方式2中的半导体装置的剖面构造示意图。

图12是示出本发明的实施方式2中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图13是示出本发明的实施方式2中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。

图14是示出本发明的实施方式2中的半导体装置的制造工序的剖面构造示意图。