[发明专利]膜处理方法及膜制造方法

权利要求书

1.一种膜处理方法，包括：

准备等离子体处理装置的步骤，其中，所述等离子体处理装置具备第1放电电极单元和第2放电电极单元、以及交流电源，所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元分别具有形成磁场的磁体，所述交流电源电连接到所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元并且能够交替地切换所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元的极性；以及

进行所述膜的表面处理的步骤，其中，由所述交流电源向所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元供给高频功率以在所述等离子体处理装置内产生等离子体，并且将作为处理对象的膜输送通过所述等离子体处理装置，通过该等离子体进行所述膜的表面处理，

通过由所述交流电源供给的所述高频功率，在交替地切换所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元的极性的同时，产生所述等离子体以进行所述膜的表面处理，

所述交流电源向所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元供给预定功率，以使得相对于用于所述等离子体处理的膜宽度方向上的电极宽度与处理速度的乘积，处理强度Epd为100W·s/m²以上，

处理强度Epd由下式(1)或(2)表示，其中处理功率W是来自交流电源的功率，膜行进方向上的电极宽度m/电极面积m²是放电电极单元的电极宽度/电极面积，处理速度m/s是被处理的膜的输送速度，

2.根据权利要求1所述的膜处理方法，其中，所述高频功率的频率在1kHz以上400kHz以下之间。

3.根据权利要求1所述的膜处理方法，其中，所述高频功率的频率在10kHz以上100kHz以下之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元分别具备平板电极，所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元平行地配置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，所述交流电源向所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元供给预定功率，以使得相对于用于所述等离子体处理的膜宽度方向上的电极宽度与处理速度的乘积，处理强度Epd为200W·s/m²以上。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，所述等离子体处理装置进一步具备盒体，在该盒体内部配置有所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元，

在进行所述膜的表面处理的步骤中，向所述盒体内引入惰性气体。

7.根据权利要求6所述的膜处理方法，其中，在进行所述膜的表面处理的步骤中，向所述盒体内还进一步引入氧气。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，所述膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，由膜处理面的X射线光电子能谱测定中的C1s波形分离得到的C-C键的半峰宽为1.255eV以上1.585eV以下。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，在进行所述膜的表面处理的步骤中，所述第1放电电极单元和所述第2放电电极单元与所述膜之间的距离在10mm以上50mm以下的范围内。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，在进行所述膜的表面处理的步骤中，所述膜的输送速度为2m/秒以上20m/秒以下。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的膜处理方法，其中，对同一片所述膜重复进行2次以上的所述膜的表面处理步骤。

12.一种膜制造方法，包括：

通过权利要求1至11中任一项所述的膜处理方法对该膜进行气相沉积预处理的步骤；以及

在已经进行了所述气相沉积预处理步骤的所述膜的处理面上形成气相沉积层的步骤。