[发明专利]膜处理方法及膜制造方法

说明书

公开一种由膜处理装置(1)进行的处理方法，该膜处理装置(1)具备：第1放电电极单元(3)和第2放电电极单元(4)、以及交流电源(5)，第1放电电极单元(3)和第2放电电极单元(4)分别具有形成磁场的磁体(3b)、(4b)，交流电源(5)能够交替地切换第1放电电极单元(3)和第2放电电极单元(4)的极性。在该处理方法中，通过由交流电源(5)供给的高频功率，在交替地切换第1放电电极单元(3)和第2放电电极单元(4)的极性的同时，产生等离子体(P)，从而进行对膜(F)的预定表面处理。

技术领域

本发明涉及膜处理方法及膜制造方法。

背景技术

专利文献1公开了气相沉积膜的制造方法的一个例子。在该气相沉积膜的制造方法中，作为气相沉积的预处理，在使基材膜连续行进的同时，进行使用了平面磁控管方式的放电电极的等离子体处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-186106号

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献1所示的处理方法中，难以在膜表面上引起诸如阴极压降这样的高电压，其压降倾向于变小。另外，在根据直流方式的磁控管放电中，磁控管电极侧通常是阴极(cathod)，并且在阴极电极附近混合存在大量的氩(Ar)之类的离子和电子，使得在阴极电极侧等离子体密度增加，随着距阴极电极的距离增加，等离子体密度降低。因此，有时候无法有效地进行针对膜的预定处理(等离子处理)。此外，通过直流方式，阴极电极经常成为阴极(cathod)，电荷集中在绝缘覆膜等之上，该绝缘覆膜沉积在阴极电极表面的非腐蚀部分等之上。因此，也有可能会发生电弧放电等异常放电，特别是在施加大功率或长时间放电的情况下，存在有等离子处理操作变得不稳定的可能性。

本发明的目的在于提供一种在提高针对膜的处理能力的同时还能够稳定地进行等离子体处理操作的膜处理方法以及膜制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的一个方面涉及一种膜处理方法，该膜处理方法包括：准备等离子体处理装置的步骤，其中，该等离子体处理装置具备第1放电电极单元和第2放电电极单元、以及交流电源，该第1放电电极单元和第2放电电极单元分别具有形成磁场的磁体，该交流电源电连接到第1放电电极单元和第2放电电极单元并且能够交替地切换第1放电电极单元和第2放电电极单元的极性；以及进行膜的表面处理的步骤，其中，由交流电源向第1放电电极单元和第2放电电极单元供给高频功率以在等离子体处理装置内产生等离子体，并且将作为处理对象的膜输送通过等离子体处理装置，通过该等离子体进行膜的表面处理。在该膜处理方法中，通过由交流电源(例如，既可使用正弦波也可使用矩形波)供给的高频功率，在交替地切换第1放电电极单元和第2放电电极单元的极性的同时，产生等离子体以进行膜的表面处理。

在该膜处理方法中，使用2个放电电极单元以产生用于膜处理的等离子体，并向这些放电电极单元供给作为交流的高频功率。根据该方法，由于以预定的周期交替地切换各电极单元的极性，因而减缓了沉积在电极表面的绝缘覆膜等当中所产生的电荷的充电，难以产生电弧。此外，由于减缓了充电，因而可以向各放电电极单元供给更高的功率，使得照射在膜表面的等离子体中的离子增加，处理变得容易进行。由此，根据本发明的膜处理方法，在提高针对膜的处理能力的同时，还能够稳定地进行等离子体处理操作。在上述表面处理方法中，在第1放电电极单元和第2放电电极单元之间产生等离子体，通过由磁体产生的磁场，等离子体产生在电桥(bridge)上以接近膜。也就是说，根据上述处理方法，与直流方式相比，能够抑制膜附近的等离子体密度的降低。