[发明专利]导电膜的制造方法、使用了该制造方法的场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法

权利要求书

1.一种导电膜的制造方法，其包含下述工序：

在基板上涂布含有用碳单质进行了表面被覆的导电性粒子、和感光性有机成分的导电性糊剂而形成涂布膜的工序；以及

向所述涂布膜照射闪光的工序。

2.根据权利要求1所述的导电膜的制造方法，在所述涂布膜中，所述碳单质的碳重量比率相对于所述导电性粒子以重量比率计为0.5％～20％。

3.根据权利要求1或2所述的导电膜的制造方法，所述导电膜具有形成有图案的配线和电极，所述配线的至少一部分的宽度为200μm以下，所述配线与所述电极中的至少一者具有宽度超过200μm的宽幅部，所述宽幅部具有开口部和非开口部，所述非开口部中的导电膜的宽度为200μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电膜的制造方法，用所述碳单质进行了表面被覆的所述导电性粒子的表面被覆层的平均厚度为0.1～10nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电膜的制造方法，所述导电性粒子为银粒子。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的导电膜的制造方法，所述导电性粒子的平均粒径为10～200nm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的导电膜的制造方法，其还包含进行曝光和显影的工序。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的导电膜的制造方法，所述基板具有底涂层。

9.根据权利要求8所述的导电膜的制造方法，所述底涂层含有丙烯酸系树脂和硅氧烷系树脂的至少一者。

10.一种场效应型晶体管的制造方法，其包含以下的工序(1)～(4)，

(1)形成第一电极的工序，

(2)形成绝缘层的工序，

(3)形成第二电极和第三电极的工序，所述第二电极和第三电极通过所述绝缘层而与所述第一电极电绝缘，

(4)在所述第二电极与所述第三电极之间形成半导体层的工序，

所述第一电极、所述第二电极、和所述第三电极中的至少一者包含导电膜，使用权利要求1～9中任一项所述的导电膜的制造方法制造所述导电膜。

11.根据权利要求10所述的场效应型晶体管的制造方法，在形成所述半导体层的工序中，包含涂布包含碳纳米管的溶液的步骤。

12.一种无线通信装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成场效应型晶体管的工序，以及在所述基板上形成天线的工序；使用权利要求10或11所述的场效应型晶体管的制造方法形成所述场效应型晶体管。

13.一种无线通信装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成场效应型晶体管的工序，以及在所述基板上形成天线的工序；所述天线包含导电膜，使用权利要求1～9中任一项所述的导电膜的制造方法形成所述导电膜。

14.一种导电膜，是在基板上形成的导电膜，所述导电膜含有导电性粒子和碳成分，从所述导电膜的表面或背面之中的所述碳成分较少的面向着所述导电膜中心部深50nm的位置的所述碳成分的元素浓度为所述导电膜的表面或背面之中的所述碳成分较少的面中的所述碳成分的元素浓度的2倍以上。

15.根据权利要求14所述的导电膜，所述导电膜具有形成有图案的配线和电极，所述配线的至少一部分的宽度为200μm以下，所述配线和所述电极中的至少一者具有宽度超过200μm的宽幅部，所述宽幅部具有开口部和非开口部，所述非开口部中的导电膜的宽度为200μm以下。