[发明专利]在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置有效
申请号: | 201880044275.1 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN110832660B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | M·海兰德;Z·王;J·邱 | 申请(专利权)人: | OTI照明公司 |
主分类号: | H10K50/824 | 分类号: | H10K50/824;H10K59/12;H10K71/00;H10K71/60 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;姚开丽 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 涂层 选择性 沉积 传导性 方法 包括 装置 | ||
1.光电装置,包括:
基材;
第一电极;
第二电极;
半导体层,所述半导体层设置在第一电极与第二电极之间;和
图案化涂层,所述图案化涂层覆盖所述基材的至少部分,所述图案化涂层包括第一区域和第二区域;和
传导性涂层,所述传导性涂层覆盖所述图案化涂层的所述第二区域,所述传导性涂层与所述第二电极电联接,
其中所述第一区域对所述传导性涂层的材料具有第一初始粘着概率,所述第二区域对所述传导性涂层的材料具有第二初始粘着概率,并且所述第二初始粘着概率大于所述第一初始粘着概率,并且
其中所述图案化涂层的所述第一区域和所述第二区域彼此一体地形成。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一区域具有第一结晶程度,所述第二区域具有第二结晶程度,并且所述第二结晶程度大于所述第一结晶程度。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一区域基本上不含所述传导性涂层。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置是有机发光二极管装置。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述基材包括发射性区域和非发射性区域。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述第一区域被布置以覆盖所述发射性区域,并且所述第二区域被布置以覆盖所述非发射性区域。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述第一电极、所述半导体层和所述第二电极被设置在所述发射性区域中。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述半导体层包括发射层。
9.根据权利要求7所述的装置,其中所述基材进一步包括薄膜晶体管,并且所述薄膜晶体管与所述第一电极电连接。
10.根据权利要求7所述的装置,其中所述传导性涂层的薄层电阻小于所述第二电极的薄层电阻。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述图案化涂层包括第一表面区域和第二表面区域,所述第一表面区域设置在所述第一区域中,并且所述第二表面区域设置在所述第二区域中。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述第二表面区域中氧物种的浓度大于所述第一表面区域中氧物种的浓度。
13.根据权利要求1所述的装置,其中所述图案化涂层的所述第一区域包括第一材料,并且所述图案化涂层的所述第二区域包括第二材料,所述第二材料不同于所述第一材料。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述第一材料的平均分子量小于所述第二材料的平均分子量。
15.根据权利要求1所述的装置,其中所述传导性涂层包括镁。
16.选择性沉积传导性涂层的方法,所述方法包括:
提供基材、第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的半导体层;
提供覆盖所述基材的表面的图案化涂层;
处理所述图案化涂层以形成对传导性涂层材料具有第一初始粘着概率的第一区域、和对所述传导性涂层材料具有第二初始粘着概率的第二区域,其中所述第二初始粘着概率大于所述第一初始粘着概率;以及
沉积所述传导性涂层材料以形成所述传导性涂层,所述传导性涂层覆盖所述图案化涂层的所述第二区域,其中所述传导性涂层与所述第二电极电联接。
17.根据权利要求16所述的方法,其中处理所述图案化涂层包括使所述第二区域暴露于电磁辐射。
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