[发明专利]在成像技术中估计振幅及相位不对称性以在叠加计量中达到高精准度

说明书

本发明提供通过识别其中(若干)对应计量测量信号具有最小振幅不对称性的(若干)计量测量参数值而导出所述(若干)值的计量方法。如所揭示选择所述测量参数值明显降低测量不精准度。例如，可检测波长值及/或焦点值以指示最小振幅不对称性及/或最小相位不对称性。在某些实施例中，提供最小振幅不对称性的波长值也提供对焦点的最小信号灵敏度。开发的度量可进一步用于指示跨晶片及批次的工艺稳健性。在一些实施例中，可通过振幅不对称性的离焦横向化及具有最小振幅不对称性的参数值的检测而增强成像精准度。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2017年7月6日申请的美国临时专利申请案第62/529,107号的权利，且进一步主张2018年1月26日申请的美国临时专利申请案第62/622,712号的权利，所述案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体计量的领域，且更特定来说，涉及改进计量成像测量的精准度。

背景技术

随着半导体节点尺寸缩小，计量测量的精准度要求提高且生产不对称性的影响变得越来越明显。

发明内容

下文是提供本发明的初步了解的简化概述。此概述不一定识别关键要素或限制本发明的范围，而是仅作为以下描述的介绍。

本发明的一个方面提供一种包括通过识别其中对应计量测量信号具有最小振幅不对称性的至少一计量测量参数的值而导出所述值的方法。

本发明的这些、额外和/或其它方面和/或优点在下文的具体实施方式中阐述；可能是可以从具体实施方式推断出的；和/或可通过实践本发明而学习。

附图说明

为了更好地理解本发明的实施例且展示可如何实行本发明的实施例，现将仅通过实例参考附图，其中遍及图式中的相同数字指定对应元件或区段。

在附图中：

图1是根据本发明的一些实施例的用于测量计量目标的计量工具的高阶示意框图。

图2是说明根据本发明的一些实施例的方法的高阶示意流程图。

图3提供根据本发明的一些实施例的在光栅结构中存在经模拟的SWA(侧壁角)不对称性的情况下振幅不对称性δA/A及离焦光栅位置变化对现实堆叠的RCWA(严格耦合波分析)模拟中的测量波长的以经验建立的相依性的非限制性实例。

图4提供根据本发明的一些实施例的在光栅结构中存在经模拟的SWA不对称性的情况下振幅不对称性δA/A、相位不对称性(如)及TF3σ对现实堆叠的RCWA模拟中的测量波长的以经验建立的相依性的非限制性实例。

具体实施方式

在以下描述中，描述本发明的各种方面。为了解释，阐述特定配置和细节以提供本发明的透彻理解。但是，所属领域的技术人员也将了解，本发明可在没有本文中呈现的具体细节的情况下实践。此外，可能已省略或简化熟知的特征以不使本发明模糊。具体参考图式，应强调，所展示细项是通过实例且仅是为了阐释性讨论本发明的目的的，且为了提供据信是本发明的原理和概念方面的最有用且容易理解的描述的原因而呈现。在这方面，不试图比基本理解本发明所需更详细展示本发明的结构细节，结合图式进行的描述使所属领域的技术人员了解实际上可如何体现本发明的若干形式。

在详细解释本发明的至少一个实施例前，应理解，本发明在其应用上不限于以下描述中阐述或图式中说明的组件的构造和布置的细节。本发明可应用在可以各种方式实践或实行的其它实施例以及所揭示实施例的组合。又，应理解，本文中采用的词组及术语是为了描述的目的且不应视为限制性的。