[发明专利]弹性波元件有效

专利信息
申请号: 201880044598.0 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN110832774B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 野添惣一朗;岸野哲也 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王晖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 弹性 元件
【权利要求书】:

1.一种弹性波元件,具备:

IDT电极,具备多个电极指并激发声表面波;

第一基板,所述IDT电极位于该第一基板的上表面,且该第一基板包含压电晶体;以及

第二基板,被接合至所述第一基板的下表面侧,

在将以所述多个电极指的反复间隔的2倍来定义的波长设为λ时,所述第一基板的厚度为0.4λ以上且20λ以下,

从所述第一基板的下表面起朝着上表面侧连续的第一区域或者从所述第一基板的下表面起朝着所述第二基板侧连续的第二区域中的任一者成为薄膜电阻为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域。

2.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

在所述第一区域为所述低电阻区域的情况下,从所述第一基板的厚度中减去所述第一区域的厚度所得的厚度为1.3λ以上,在所述第二区域为所述低电阻区域的情况下,所述第一基板的厚度为1.3λ以上。

3.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

所述第一基板是X传播旋转Y切割的钽酸锂单晶体基板。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波元件,其中,

所述低电阻区域包含由介于所述第一基板与所述第二基板之间的中间层构成的所述第二区域,

所述中间层包含构成所述第一基板或者所述第二基板的元素和金属。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波元件,其中,

所述低电阻区域包含所述第一区域,

所述第一区域中的构成所述第一基板的元素的比率不同于其他区域,或者所述第一区域中的构成所述第二基板的元素包含得比其他区域多。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波元件,其中,

所述低电阻区域包含在所述第二基板的自所述第一基板侧的面起连续的区域形成的所述第二区域,

所述第二区域所包含的构成所述第一基板的元素比所述第二基板的所述第二区域以外的区域所包含的构成所述第一基板的元素多。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波元件,其中,

所述低电阻区域包含在所述第二基板的自所述第一基板侧的面起连续的区域形成的所述第二区域,

所述第二基板包含半导体材料,所述第二区域通过使所述第二基板中的掺杂浓度不同而构成。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波元件,其中,

所述低电阻区域的厚度为2nm~200nm。

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