[发明专利]化合物、图案形成用基板、偶联剂和图案形成方法在审

专利信息
申请号: 201880046689.8 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN110891955A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 川上雄介;山口和夫 申请(专利权)人: 株式会社尼康;学校法人神奈川大学
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;C07F7/18;G03F7/004;G03F7/075
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 褚瑶杨;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化合物 图案 形成 用基板 偶联剂 方法
【说明书】:

本发明提供一种化合物、图案形成用基板、偶联剂、图案形成方法。一种下述通式(1)所表示的化合物。[式中,X01为显示出半导体特性的基团。Y为二价连接基团。]

技术领域

本发明涉及化合物、图案形成用基板、偶联剂和图案形成方法。

本申请基于2017年7月19日在日本提交的日本特愿2017-140046号要求优先权,将其内容援引于此。

背景技术

近年来,在半导体元件、集成电路、有机EL显示器用器件等微细器件等的制造中,提出了下述方法:在基板上形成表面特性不同的图案,利用该表面特性的差异来制作微细器件。

作为利用了基板上的表面特性差异的图案形成方法,例如有在基板上形成亲水区域和拒水区域并在亲水区域涂布功能性材料的水溶液的方法。该方法仅在亲水区域铺展功能性材料的水溶液,因此能够形成功能性材料的薄膜图案。

作为能够在基板上形成亲水区域和拒水区域的材料,例如在专利文献1中记载了一种在光照射的前后能够改变接触角的含氟化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第4997765号公报

发明内容

本发明的第1方式涉及一种下述通式(1)所表示的化合物。

[化1]

[式中,X01为显示出半导体特性的基团。Y为二价连接基团。]

本发明的第2方式涉及一种图案形成用基板,其具有利用本发明的第1方式的化合物进行了化学修饰的表面。

本发明的第3方式涉及一种偶联剂,其由本发明的第1方式的化合物形成。

本发明的第4方式涉及一种图案形成方法,其为在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法,该图案形成方法具备下述工序:第1工序,该工序中,将对象物的被处理面的至少一部分氨基化,形成氨基化面;和第2工序,该工序中,使用本发明的第1方式的化合物,对上述氨基化面进行化学修饰。

本发明的第5方式涉及一种图案形成方法,其为在对象物的被处理面上形成图案的方法,该图案形成方法具备下述工序:工序A,该工序中,使用包含具有光响应性基团的化合物的第1光分解性偶联剂,将上述被处理面的至少一部分氨基化;工序B,在工序A后,使用含有包含具有半导体特性的基团的化合物的第1偶联剂,在上述被处理面中导入具有半导体特性的基团;和工序C,在工序B后,使用包含权利要求1或2所述的化合物的第2偶联剂,导入具有半导体特性的基团。

本发明的第6方式涉及一种下述通式(B1)所表示的化合物。

[化2]

[通式(B1)中,X表示卤原子或烷氧基,R1表示氢原子或碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基,R12为具有噻吩骨架的取代基。L为包含(-NH-)和亚甲基的二价连接基团。]

本发明的第7方式涉及一种下述通式(B1)-1所表示的化合物。

[化3]

[通式(B1)-1中,X表示卤原子或烷氧基,R1表示氢原子或碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基,R12为具有噻吩骨架的取代基。n表示0以上的整数。]

附图说明

图1是示出基板处理装置的整体构成的示意图。

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