[发明专利]集成电路中的动态元件匹配有效
申请号: | 201880047244.1 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN110892238B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | U·R·卡马斯;P·凯利;J·K·詹宁斯 | 申请(专利权)人: | 赛灵思公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
代理公司: | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人: | 毛健;杜小锋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 中的 动态 元件 匹配 | ||
1.一种动态元件匹配DEM电路,其特征在于,包括:
多个双极性结型晶体管BJT,所述多个BJT中的每一个BJT都具有耦接到电接地的基极端和集电极端,其中所述多个BJT包括第一BJT、第二BJT和第三BJT;
多个动力开关对,所述多个动力开关对包括第一动力开关对、第二动力开关对和第三动力开关对,所述第一动力开关对耦接到所述第一BJT的发射极,所述第二动力开关对耦接到所述第二BJT的发射极,并且所述第三动力开关对耦接到所述第三BJT的发射极;
多个感测开关对,所述多个感测开关对包括第一感测开关对、第二感测开关对和第三感测开关对,所述第一感测开关对耦接到所述第一BJT的发射极并且包括耦接到第一节点的第一开关和耦接到第二节点的第二开关,所述第二感测开关对耦接到所述第二BJT的发射极并且包括耦接到所述第一节点的第一开关和耦接到所述第二节点的第二开关,所述第三感测开关对耦接到所述第三BJT的发射极并且包括耦接到所述第一节点的第一开关和耦接到所述第二节点的第二开关;
第一电流源,其耦接到所述第一动力开关对中的第一开关、所述第二动力开关对中的第一开关和所述第三动力开关对中的第一开关;
第二电流源,其耦接到所述第一动力开关对中的第二开关、所述第二动力开关对中的第二开关和所述第三动力开关对中的第二开关;以及
开关控制器,所述开关控制器耦接到所述多个动力开关对和所述多个感测开关对,其中,在第一周期中,所述开关控制器被配置为通过所述第一感测开关对中的第一开关将所述第一BJT的发射极连接到所述第一节点,通过所述第二感测开关对中的第二开关将所述第二BJT的发射极连接到所述第二节点,以及通过所述第三感测开关对中的第二开关将所述第三BJT的发射极连接到所述第二节点。
2.根据权利要求1所述的DEM电路,其特征在于,所述开关控制器被配置为生成多个差分逻辑信号对,其中每一个感测开关对和每一个动力开关对接收所述多个差分逻辑信号对中的分别一个差分逻辑信号对。
3.根据权利要求2所述的DEM电路,其特征在于,每一个所述动力开关对中的所述第一开关接收各自的差分逻辑信号对的真逻辑信号,并且每一个所述动力开关对中的所述第二开关接收所述各自的差分逻辑信号对的互补逻辑信号。
4.根据权利要求3所述的DEM电路,其特征在于,每一个所述感测开关对中的所述第一开关接收所述各自的差分逻辑信号对的所述真逻辑信号,并且每一个所述感测开关对中的所述第二开关接收所述各自的差分逻辑信号对的所述互补逻辑信号。
5.根据权利要求1所述的DEM电路,其特征在于,由所述第一电流源提供的第一电流和由所述第二电流源提供的第二电流相同。
6.根据权利要求1所述的DEM电路,其特征在于,由所述第一电流源提供的第一电流大于由所述第二电流源提供的第二电流,或者所述第二电流大于所述第一电流。
7.一种集成电路IC中的动态元件匹配DEM的方法,其特征在于,包括:
在多个周期内控制耦接到二极管连接的双极性结型晶体管BJT阵列中的发射极的动力开关和感测开关,每一个周期包括:
将第一电流注入到所述二极管连接的BJT中选定的一个二极管连接的BJT中;
将第二电流注入到由所述二极管连接的BJT中其余的二极管连接的BJT构成的电路中,其中所述二极管连接的BJT中所述其余的二极管连接的BJT包括两个或更多个二极管连接的BJT;
将所述二极管连接的BJT中所述选定的一个二极管连接的BJT的发射极耦接到第一节点;以及
将所述二极管连接的BJT中所述其余的二极管连接的BJT中每一者的发射极耦接到第二节点。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述控制步骤包括:对于每一个周期,测量相对于所述第二节点的电压的所述第一节点的电压,其中所述第二节点的电压对应于所述二极管连接的BJT中所述其余的二极管连接的BJT中每一者的平均电压。
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