[发明专利]集成电路中的动态元件匹配

说明书

一种示例的动态元件匹配(DEM)电路包括：多个双极性结型晶体管(BJT)(202)，多个BJT的每一个BJT都具有耦接到电接地的基极端和集电极端；多个动力开关对(204)，每一个动力开关对耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极；多个感测开关对(206)，每一个感测开关对分别耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极，每一个感测开关对中的第一开关耦接到第一节点(Vbe1)，并且每一个感测开关对中的第二开关耦接至第二节点(Vbe2)；第一电流源(208)，其耦接到每一个动力开关对中的第一开关；以及第二电流源(210)，其耦接到每一个动力开关对中的第二开关。

技术领域

本公开的示例一般涉及电子电路，特别是涉及集成电路(IC)中的动态元件匹配。

背景技术

温度感测电路是与集成电路(IC)(例如，大型片上系统(SoC)、现场可编程门阵列(FPGA)及类似设备)相关的重要功能。一种温度感测电路是通过以单位电流驱动第一二极管连接的双极性结型晶体管(diode-connected BJT)以及以单位电流的倍数驱动第二二极管连接的BJT来实现的。第二二极管连接的BJT与第一二极管连接的BJT配合。也就是说，以1:N的电流偏置来驱动1:1的BJT阵列，其中N是大于1的正整数。这种温度感测电路至少部分由于1:N电流偏置源的匹配要求而消耗很大的面积。二极管连接的BJT之间的失配会导致温度测量不准确。

发明内容

本文描述的是集成电路(IC)中的动态元件匹配(DEM)技术。在一个示例中，一种DEM电路包括：多个双极性结型晶体管(BJT)，多个BJT中的每一个BJT都具有耦接到电接地的基极端和集电极端；多个动力开关对，每一个动力开关对耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极；多个感测开关对，每一个感测开关对分别耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极，每一个感测开关对中的第一开关耦接到第一节点，并且每一个感测开关对中的第二开关耦接至第二节点；第一电流源，其耦接到每一个动力开关对中的第一开关；以及第二电流源，其耦接到每一个动力开关对中的第二开关。

在一个示例中，集成电路(IC)包括系统监控电路，和耦接到系统监控电路的至少一个DEM电路。至少一个DEM电路中的每一个都包括：多个双极性结型晶体管(BJT)，多个BJT中的每一个BJT都具有耦接到电接地的基极端和集电极端；多个动力开关对，每一个动力开关对耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极；多个感测开关对，每一个感测开关对分别耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极，每一个感测开关对中的第一开关耦接到第一节点，并且每一个感测开关对中的第二开关耦接至第二节点；第一电流源，其耦接到每一个动力开关对中的第一开关；以及第二电流源，其耦接到每一个动力开关对中的第二开关。

在另一个示例中，一种集成电路(IC)中的DEM的方法，包括：在多个周期内控制耦接到二极管连接的双极性结型晶体管(BJT)阵列中的发射极的动力开关和感测开关，每一个周期包括：将第一电流注入到二极管连接的BJT中选定的一个二极管连接的BJT中；将第二电流注入到由所述二极管连接的BJT中其余的二极管连接的BJT构成的电路中；将二极管连接的BJT中该选定的一个二极管连接的BJT的发射极耦接到第一节点；和将所述二极管连接的BJT中其余的二极管连接的BJT的发射极耦接到第二节点。

参考以下详细描述可以理解以上这些方面和其他方面。

附图说明

为了可以详细理解上述特征的方式，可以通过参考示例实现方式来更具体地描述上面简要总结，其中一些示例在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出了典型的示例性实施方式，因此不应视为对其范围的限制。

图1是示出根据一个示例的集成电路(IC)的框图；

图2是示出根据一个示例的温度感测电路的框图。

图3是示出根据一个示例的图2的温度感测电路的一部分的示意图。

图4是示出根据一个示例的开关控制信号的时序图。