[发明专利]到系统衬底中的微装置集成在审
申请号: | 201880047604.8 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110892530A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 格拉姆雷扎·查济;埃桑诺拉·法蒂 | 申请(专利权)人: | 维耶尔公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张晓媛 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 衬底 中的 装置 集成 | ||
1.一种集成光学系统,其包括多个像素,每一像素包括:
受体衬底;
发光微装置,其集成于所述受体衬底上;
平坦化或堤岸区,其包围所述微装置;及
薄膜发光光电装置,其至少一部分安装于所述平坦化或堤岸区上。
2.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括反射器,所述反射器能够在相同方向上引导来自所述微装置及所述薄膜光电装置的光。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述薄膜发光光电装置包括:
底部电极,其在所述平坦化结构上;
薄膜发光层;及
顶部电极,其在所述薄膜发光层上。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述顶部电极包含反射材料,其用于在相同方向上引导来自所述微装置及所述薄膜光电装置的光通过所述受体衬底。
5.根据权利要求3所述的系统,其中所述薄膜发光层包含反射材料,其用于在相同方向上引导来自所述微装置及所述薄膜光电装置的光通过所述受体衬底。
6.根据权利要求3所述的系统,其中所述底部电极包含:
接合垫,其在所述受体衬底上;
第一部分,其平行于所述受体衬底延伸;及
第二部分,其从所述接合垫延伸到所述第一部分,所述第二部分包含用于防止光进入相邻像素的反射材料。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述微装置包含所述受体衬底上的下电极、发光部分及所述发光部分上的上电极;
其中来自所述发光部分的光能透过所述上电极;且
其中所述下电极包括反射材料,其用于在相同方向上引导来自所述微装置及所述薄膜光电装置的光通过所述上电极。
8.根据权利要求7所述的系统,其中所述薄膜发光光电装置包括:
底部电极,其在所述平坦化或堤岸区上;
薄膜发光层;及
顶部电极,其在所述薄膜发光层上,
其中所述底部电极包含:
接合垫,其在所述受体衬底上;
第一部分,其平行于所述受体衬底延伸;及
第二部分,其从所述接合垫延伸通过所述平坦化或堤岸区而到所述第一部分,所述第二部分包含用于防止光进入相邻像素的反射材料。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述平坦化或堤岸区包含用于在所要方向上反射来自所述微装置的光的凹形反射结构。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述微装置包括所述受体衬底上的下电极、发光部分及所述发光部分上的上电极;且进一步包括所述上电极上方的堤岸层,其用于将所述上电极与所述薄膜光电装置绝缘。
11.根据权利要求10所述的系统,其中所述堤岸层包含贯穿其中的开口以使光能够行进通过到所述顶部电极。
12.根据权利要求3所述的系统,其中所述微装置包括所述受体衬底上的下电极、发光部分,且
其中所述顶部电极延伸通过所述薄膜发光层中的开口而与所述发光部分接触。
13.根据权利要求3所述的系统,其中所述底部电极、所述薄膜发光层及所述顶部电极在所述微装置上方延伸;且
其中所述底部电极、所述薄膜发光层及所述顶部电极中的至少一者包含贯穿其中的开口以使光能够行进通过所述顶部电极。
14.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括彩色滤光器,所述彩色滤光器安装于所述受体衬底上以用于接收来自所述薄膜发光光电装置的光。
15.根据权利要求1所述的系统,其中所述微装置及所述薄膜光电装置并排安装在所述受体衬底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的