[发明专利]到系统衬底中的微装置集成在审
申请号: | 201880047604.8 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110892530A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 格拉姆雷扎·查济;埃桑诺拉·法蒂 | 申请(专利权)人: | 维耶尔公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张晓媛 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 衬底 中的 装置 集成 | ||
本发明涉及用于将微装置集成于系统(受体)衬底中或在转移之后改进所述微装置的性能的后处理步骤。可使用例如反射层、填料、黑色矩阵或其它层的额外结构的后处理步骤以改进所产生的LED光的输出耦合或限制。在另一实例中,可使用电介质层及金属层以将光电薄膜装置与经转移微装置集成于所述系统衬底中。在另一实例中,将色彩转换层集成于所述系统衬底中以产生来自所述微装置的不同输出。
此申请案主张2017年7月18日申请的序列号为15/653,120的美国专利申请案的优先权,所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及将经转移微装置系统集成到受体衬底上。更具体来说,本发明涉及用于在转移到受体衬底中之后增强微装置的性能的后处理步骤,包含光学结构的显影、光电薄膜装置的集成、色彩转换层的添加及施体衬底上的装置的恰当图案化。
背景技术
本发明的目的是通过提供集成于相同受体衬底上的发光微装置及薄膜光电发光装置而克服现有技术的缺点。
发明内容
因此,本发明涉及一种集成光学系统,其包括多个像素,每一像素包括:
受体衬底;
发光微装置,其集成于所述受体衬底上;
平坦化或堤岸区,其包围所述微装置;及
薄膜发光光电装置,其至少一部分安装于所述平坦化或堤岸区上。
附图说明
参考表示本发明的优选实施例的附图更详细描述本发明,其中:
图1展示具有接触垫的受体衬底及附接到受体衬底的经转移微装置的阵列。
图2A展示具有接触垫的受体衬底、附接到受体衬底的经转移微装置的阵列及顶部上的保形电介质及反射层。
图2B展示具有接触垫的受体衬底、附接到受体衬底的经转移微装置的阵列及经图案化的保形电介质及反射层。
图2C展示具有接触垫的受体衬底、附接到受体衬底的经转移微装置的阵列、经图案化的保形电介质及反射层及形成于相邻微装置之间的黑色矩阵层。
图3A展示具有接触垫的受体衬底、附接到受体衬底的经转移微装置的阵列、经图案化的保形电介质及反射层、黑色矩阵层及沉积于衬底上的透明导电层。
图3B展示具有附接到其经转移微装置的集成阵列的受体衬底及用于光输出耦合增强的光学反射组件。
图3C展示具有附接到其经转移微装置的集成阵列的受体衬底及用于光输出耦合增强的凹形接触垫。
图3D展示具有以底部发射配置附接到其经转移微装置的集成阵列的受体衬底。
图3E展示具有附接到其经转移微装置的集成阵列的受体衬底。
图4A展示具有经转移微装置的受体衬底、保形电介质层及经连接反射层。
图4B展示具有经转移微装置、保形电介质层、经连接反射层的受体衬底及沉积于衬底上的透明导电层。
图5展示具有经转移微装置的受体衬底及界定像素(或子像素)的经图案化填料。
图6A展示覆盖至少一个像素中的所有子像素(例如,覆盖由两个子像素组成的像素的两个子像素)的像素化填料结构。
图6B展示由两个子像素组成的像素、经图案化以界定所述像素的填料层及所述像素周围的经图案化保形电介质及反射层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的