[发明专利]用于存储器装置中的锁存的偏移消除有效
申请号: | 201880047927.7 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110959176B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | D·维梅尔卡蒂 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22;G11C7/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 装置 中的 偏移 消除 | ||
1.一种用于操作存储器阵列的装置,其包括:
感测组件,其与所述存储器阵列和第一电压源成电子连通,其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管;
第一电容器,其经由第一节点耦合到所述第一晶体管;
第二电容器,其经由第二节点耦合到所述第二晶体管;
第一开关组件,其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间;以及
第六开关组件,其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管,其中所述第六开关组件包括pMOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第一电容器定位于所述第一节点和所述第三节点之间,且所述第二电容器定位于所述第二节点和所述第三节点之间。
3.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
第一参考电压组件,其耦合到所述感测组件的所述第一晶体管,其中所述第一参考电压组件包括第二开关组件;以及
第二参考电压组件,其耦合到所述感测组件的所述第二晶体管,其中所述第二参考电压组件包括第三开关组件。
4.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
第四开关组件,其经由所述第一节点耦合到所述第一电容器,其中所述第四开关组件包括nMOS晶体管;以及
第五开关组件,其经由所述第二节点耦合到所述第二电容器,其中所述第五开关组件包括nMOS晶体管。
5.一种系统,其包括:
存储器阵列;
控制器,其被配置成将数据传递到所述存储器阵列;以及
处理器,其被配置成处理来自所述控制器的信号,其中所述存储器阵列进一步包括:
感测组件,其与所述存储器阵列和第一电压源成电子连通,其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管;
第一电容器,其经由第一节点耦合到所述第一晶体管;
第二电容器,其经由第二节点耦合到所述第二晶体管;
第一开关组件,其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间;以及
额外开关组件,其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管,其中所述额外开关组件包括pMOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的系统,其中:
所述第一电容器定位于所述第一节点和所述第三节点之间,且所述第二电容器定位于所述第二节点和所述第三节点之间。
7.根据权利要求5所述的系统,其进一步包括:
第一参考电压组件,其耦合到所述感测组件的所述第一晶体管,其中所述第一参考电压组件包括第二开关组件;以及
第二参考电压组件,其耦合到所述感测组件的所述第二晶体管,其中所述第二参考电压组件包括第三开关组件。
8.一种用于操作存储器阵列的方法,其包括:
激活耦合在第二电压源与第一电容器和第二电容器之间的第一开关组件;
在激活所述第一开关组件之后将参考电压施加到感测组件,其中所述感测组件耦合到所述第一电容器和所述第二电容器;
在将所述参考电压施加到所述感测组件之后解除激活所述第一开关组件;以及
测量跨越所述第一电容器和所述第二电容器两者的电压偏移。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
基于测量所述电压偏移从与所述第一电容器和所述第二电容器成电子连通的存储器单元读取逻辑状态。
10.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
在激活所述第一开关组件之后起始感测操作。
11.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
激活与所述存储器阵列成电子连通的第二开关组件;以及
响应于激活所述第二开关组件产生跨越第一晶体管的第一信号。
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