[发明专利]用于存储器装置中的锁存的偏移消除

说明书

本申请是针对用于存储器装置中的锁存的偏移消除。存储器装置可包含包括第一和第二晶体管的感测组件。在某些情况下，存储器装置可进一步包含耦合到所述第一晶体管的第一电容器和耦合到所述第二晶体管的第二电容器，以及耦合在电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间的第一开关组件。举例来说，可激活所述第一开关组件，可将参考电压施加到所述感测组件，且接着可解除激活所述第一开关组件。在一些实例中，可跨越所述第一和第二电容器两者测量电压偏移。

交叉参考

本专利申请要求维梅尔卡蒂(Vimercati)于2018年7月18日提交的标题为“用于存储器装置中的锁存的偏移消除(OFFSET CANCELLATION FOR LATCHING IN A MEMORYDEVICE)”的第PCT/US2018/042584号PCT申请的优先权，所述PCT申请要求维梅尔卡蒂于2017年7月20日提交的标题为“用于存储器装置中的锁存的偏移消除(OffsetCancellation for Latching in a Memory Device)”的第15/655,644号美国专利申请的优先权，这些文献中的每一个转让给本受让人且每一个以全文引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用于存储器装置中的锁存的偏移消除。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列，且更确切地说涉及用于存储器装置中的锁存的偏移消除。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random accessmemory，RAM)、只读存储器(read only memory，ROM)、动态RAM(dynamic RAM，DRAM)、同步动态RAM(synchronous dynamic RAM，SDRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM，FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻式RAM(resistive RAM，RRAM)、快闪存储器、相变存储器(phasechange memory，PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM等非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM等易失性存储器装置除非被外部电源周期性地刷新，否则可能随时间推移而丢失其存储状态。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性特性。因此，与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进的性能。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。在一些存储器装置中，到存储器单元的感测组件的输入节点之间可能存在电压差异。此电压差异可能导致耦合到感测组件的电容器之间的电压偏移。在某些情况下，电压差异可能导致来自电容器的电流泄漏和所存储信息丢失。在一些实例中，电压偏移还可能减少存储器单元中的存取操作期间产生的信号。

发明内容

描述一种装置。在一些实例中，所述装置可用于操作存储器阵列。在一些实例中，所述装置可包含感测组件，其与存储器阵列和第一电压源成电子连通，其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管。在一些实例中，所述装置可包含第一电容器，其经由第一节点耦合到所述第一晶体管。在一些实例中，所述装置可包含第二电容器，其经由第二节点耦合到所述第二晶体管。在一些实例中，所述装置可包含第一开关组件，其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间。