[发明专利]层叠型元件的制造方法

权利要求书

1.一种层叠型元件的制造方法，其中，

具备：

层叠工序，构成半导体晶圆的层叠体，所述半导体晶圆的层叠体具备：具有表面及背面的半导体基板、及包含沿着所述表面二维状排列的多个功能元件的电路层；及

激光照射工序，在所述层叠工序之后，对所述层叠体照射激光，由此在所述层叠体形成改质区域及龟裂，

所述层叠工序具有：

第1接合工序，准备第1晶圆及第2晶圆作为所述半导体晶圆，并且以所述第1晶圆的各个所述功能元件与所述第2晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第2晶圆的所述电路层接合于所述第1晶圆的所述电路层；

研磨工序，在所述第1接合工序之后，研磨所述第2晶圆的所述半导体基板；及

第2接合工序，在所述研磨工序之后，准备第3晶圆作为所述半导体晶圆，并且以所述第2晶圆的各个所述功能元件与所述第3晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第3晶圆的所述电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板，

在所述激光照射工序中，对于所述第1晶圆的所述半导体基板，沿着被设定成通过所述功能元件之间的切断预定线照射所述激光，由此，沿着所述切断预定线形成所述改质区域，并且沿着所述层叠体的层叠方向使所述龟裂从所述改质区域伸展。

2.一种层叠型元件的制造方法，其中，

具备：

层叠工序，构成半导体晶圆的层叠体，所述半导体晶圆的层叠体具备：具有表面及背面的半导体基板、及包含沿着所述表面二维状排列的多个功能元件的电路层；及

激光照射工序，在所述层叠工序之后，对所述层叠体照射激光，由此在所述层叠体形成改质区域及龟裂，

所述层叠工序具有：

第1接合工序，准备第1晶圆及第2晶圆作为所述半导体晶圆，并且以所述第1晶圆的各个所述功能元件与所述第2晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第2晶圆的所述电路层接合于所述第1晶圆的所述半导体基板；

研磨工序，在所述第1接合工序之后，研磨所述第2晶圆的所述半导体基板；及

第2接合工序，在所述研磨工序之后，准备第3晶圆作为所述半导体晶圆，并且以所述第2晶圆的各个所述功能元件与所述第3晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第3晶圆的所述电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板，

在所述激光照射工序中，对于所述第3晶圆的所述半导体基板，沿着被设定成通过所述功能元件之间的切断预定线照射所述激光，由此，沿着所述切断预定线形成所述改质区域，并且沿着所述层叠体的层叠方向使所述龟裂从所述改质区域伸展。

3.如权利要求2所述的层叠型元件的制造方法，其中，

所述层叠工序具有：在所述第1接合工序之前，准备支撑基板及所述第1晶圆，并且将所述第1晶圆的所述电路层接合于所述支撑基板的准备工序，

在所述第1接合工序中，准备所述第2晶圆及被接合于所述支撑基板的所述第1晶圆。

4.如权利要求3所述的层叠型元件的制造方法，其中，

还具备：在所述层叠工序之后，并且在所述激光照射工序之前或所述激光照射工序之后，去除所述支撑基板的支撑基板去除工序。

5.如权利要求1～4中任一项所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述激光照射工序中，以所述龟裂到达所述层叠体的所述层叠方向的两端的方式，形成所述改质区域。

6.如权利要求5所述的层叠型元件的制造方法，其中，

所述激光照射工序具有：

第1激光照射工序，对于所述半导体基板，从所述背面侧照射所述激光而形成作为所述改质区域的第1改质区域；及

第2激光照射工序，对于所述半导体基板，从所述背面侧照射所述激光而在所述第1改质区域与所述背面之间形成作为所述改质区域的第2改质区域，由此以到达所述两端的方式使所述龟裂伸展。

7.如权利要求1～6中任一项所述的层叠型元件的制造方法，其中，

还具备：在所述激光照射工序之后，研磨形成有所述改质区域的所述半导体基板，由此去除所述改质区域的改质区域去除工序。

8.如权利要求1～7中任一项所述的层叠型元件的制造方法，其中，

还具备：在所述激光照射工序之后，对所述层叠体施加应力，由此，沿着所述切断预定线切断所述层叠体的切断工序。