[发明专利]层叠型元件的制造方法

说明书

层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。

技术领域

本发明的一方面涉及一种层叠型元件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中记载有切断半导体晶圆的方法。在该方法中，在半导体晶圆被吸附保持于工作盘(chuck table)的状态下，一边使工作盘往复移动，一边使高速旋转的切削刀片下降，切削半导体晶圆的迹道(street)。半导体晶圆通过对所有迹道进行上述的切削而被划片，分割成各个半导体芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-013312号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，目前例如在DRAM(动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory)这样的半导体存储器的领域中，正在进行层叠多个元件而构成的层叠型元件的开发，并期待实现层叠型元件的薄化及产量的提升。

因此，本发明的一方面的目的在于提供一种可以兼顾层叠型元件的薄化及产量的提升的层叠型元件的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本发明者为了解决上述技术问题而重复专门的研究，其结果取得以下的见解。即，切断半导体晶圆的层叠体时，对于构成层叠体的半导体晶圆的基板部分照射激光，形成改质区域，并且使龟裂从该改质区域伸展，由此可以抑制在半导体晶圆的接合界面的碎屑(chipping)并且切断层叠体。本发明的一方面是基于这样的见解而成的。

即，本发明的一方面的层叠型元件的制造方法具备：层叠工序，构成半导体晶圆的层叠体，该半导体晶圆的层叠体具备：具有表面及背面的半导体基板、及包含沿着表面二维状排列的多个功能元件的电路层；及激光照射工序，在层叠工序之后，对层叠体照射激光，由此在层叠体形成改质区域及龟裂，层叠工序具有：第1接合工序，准备第1晶圆及第2晶圆作为半导体晶圆，并且以第1晶圆的各个功能元件与第2晶圆的各个功能元件相互对应的方式，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层；研磨工序，在第1接合工序之后，研磨第2晶圆的半导体基板；及第2接合工序，在研磨工序之后，准备第3晶圆作为半导体晶圆，并且以第2晶圆的各个功能元件与第3晶圆的各个功能元件相互对应的方式，将第3晶圆的电路层接合于第2晶圆的半导体基板，在激光照射工序中，对于第1晶圆的半导体基板，沿着被设定成通过功能元件之间的切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从改质区域伸展。

或者，本发明的一方面的层叠型元件的制造方法具备：层叠工序，构成半导体晶圆的层叠体，该半导体晶圆的层叠体具备：具有表面及背面的半导体基板、及包含沿着表面二维状排列的多个功能元件的电路层；及激光照射工序，在层叠工序之后，对层叠体照射激光，由此在层叠体形成改质区域及龟裂，层叠工序具有：第1接合工序，准备第1晶圆及第2晶圆作为半导体晶圆，并且以第1晶圆的各个功能元件与第2晶圆的各个功能元件相互对应的方式，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；研磨工序，在第1接合工序之后，研磨第2晶圆的半导体基板；及第2接合工序，在研磨工序之后，准备第3晶圆作为半导体晶圆，并且以第2晶圆的各个功能元件与第3晶圆的各个功能元件相互对应的方式，将第3晶圆的电路层接合于第2晶圆的半导体基板，在激光照射工序中，对于第3晶圆的半导体基板，沿着被设定成通过功能元件之间的切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从改质区域伸展。