[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，形成有结型FET，其特征在于，

具备半导体基板，该半导体基板具有单元区域(1)和单元区域的外侧，该单元区域形成有上述结型FET，

上述单元区域具备：

第1导电型的漂移层(13)；

第1导电型的沟道层(14)，配置在上述漂移层上；

第1导电型的源极层(15)，形成在上述沟道层的表层部，与上述沟道层相比为高杂质浓度；

第2导电型的栅极层(16)，在上述沟道层中形成得比上述源极层深；

第2导电型的体层(17)，在上述沟道层中形成得比上述源极层深；

漏极层(11)，隔着上述漂移层而配置在与上述源极层相反的一侧；

栅极布线(19)，与上述栅极层电连接；

第1电极(21)，与上述源极层及上述体层电连接；以及

第2电极(22)，与上述漏极层电连接；

上述栅极层从上述沟道层中的与上述漂移层相反侧的表面形成；

在上述单元区域的外侧也形成有上述体层；

在上述体层的底部侧，与上述栅极层的底部侧相比，电场强度更高。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述体层形成得比上述栅极层深。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

设上述栅极层的深度为Yg，设上述体层的深度为Yb，设用相对于上述栅极层的深度而言的上述体层中比上述栅极层深的部分的长度来表示的相对突出量为(Yb－Yg)/Yg，则相对突出量为0.1～0.73。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述栅极层的下方形成有屏蔽层(24)，该屏蔽层为第2导电型且与上述栅极层相分离并与上述体层连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极层及上述体层沿着一个方向延伸设置；

上述屏蔽层具有沿着上述一个方向延伸设置的主部(24a)、以及在与上述主部交叉的方向上突出且沿着上述一个方向周期性地形成的多个突出部(24b)，上述多个突出部与上述体层连接。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述体层的底部为尖细形状。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述体层的底面与第1导电型的杂质区域相连，该第1导电型的杂质区域与和上述栅极层的底面相连的第1导电型的杂质区域相比为高杂质浓度。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟道层与上述漂移层相比为高杂质浓度；

上述栅极层的底面与上述漂移层相连；

上述体层的底面与上述沟道层相连。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在上述沟道层，以与上述体层的底面相连的状态形成有与上述沟道层相比为高杂质浓度的第1导电型的沟道层(23)。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

与上述栅极层相比，上述体层的宽度窄。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟道层中，将上述源极层与上述栅极层的底面之间的长度设为沟道长度(Lch)，则上述沟道长度为1μm以上。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述漏极层、上述漂移层、上述沟道层、上述源极层、上述栅极层及上述体层由碳化硅构成。