[发明专利]用于粒子抑制的气体注射系统有效
申请号: | 201880049630.4 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110945437B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | M·A·基耶达;J·布林克特;黄仰山;K·巴尔 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 粒子 抑制 气体 注射 系统 | ||
1.一种物体平台,包括:
第一腔室;
第二腔室;
第一结构,所述第一结构具有第一表面;
第二结构,所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体且能相对于所述第一结构移动,并且所述第二结构包括第二表面,所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙,所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸;以及
气体出口,所述气体出口用于注射气体且设置成:(a)在所述间隙中或(b)在所述第一腔室中且与所述第一腔室处的间隙的进口相邻。
2.根据权利要求1所述的物体平台,其中:
所述第二表面包括第一部分和第二部分,所述第二部分比所述第二表面的第一部分更靠近所述第一腔室,所述第二表面的第一部分和所述第一表面限定所述间隙的第一部分,所述间隙的第一部分具有第一间隙高度,所述第二表面的第二部分和所述第一表面限定所述间隙的第二部分,所述间隙的第二部分具有第二间隙高度,所述第二间隙高度大于所述第一间隙高度。
3.根据权利要求2所述的物体平台,其中,所述气体出口设置在所述第一间隙部分中。
4.根据权利要求2所述的物体平台,其中,所述气体出口设置在所述第二间隙部分中。
5.根据权利要求1所述的物体平台,其中,所述第二结构还包括在所述间隙中耦接至泵的凹槽。
6.根据权利要求5所述的物体平台,其中,所述第二表面限定所述凹槽。
7.根据权利要求1所述的物体平台,其中限定所述第一腔室的表面被配置成在背离所述第一腔室处的所述间隙的进口的方向上引导所述第一腔室中的气流。
8.根据权利要求1所述的物体平台,其中所述气体出口设置在所述第二结构的第二表面中。
9.根据权利要求1所述的物体平台,其中:
所述第二结构包括第三表面,所述第三表面限定所述第一腔室的一部分并与所述第一腔室处的间隙的进口相邻;并且
所述气体出口设置在所述第三表面中。
10.根据权利要求1所述的物体平台,其中:
所述第二结构包括长行程模块和短行程模块;并且
所述第二表面是所述长行程模块的一部分。
11.根据权利要求1所述的物体平台,其中,所述第二结构是配置成支撑掩模版的卡盘。
12.根据权利要求1所述的物体平台,其中,所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。
13.根据权利要求1所述的物体平台,其中,所述气体包括氢气(H2)、氮气(N2),氩气(Ar)或氖气(Ne)。
14.一种光刻设备,所述光刻设备配置成将图案从图案形成装置转印到衬底上,所述光刻设备包括:
衬底台,所述衬底台配置成沿扫描方向保持和移动所述衬底;
掩模版平台,所述掩模版平台配置成保持和移动所述掩模版,所述掩模版平台包括:
第一腔室;
第二腔室;
第一结构,所述第一结构具有第一表面;
第二结构,所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的掩模版、能相对于所述第一结构移动,并且所述第二结构包括第二表面,所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙,所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸;和
气体出口,所述气体出口用于注射气体并且设置成:(a)在所述间隙中或(b)在所述第一腔室中且与所述第一腔室处的间隙的进口相邻。
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