[发明专利]用于粒子抑制的气体注射系统

说明书

提供减少污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性的设计，所述污染物粒子具有大范围的尺寸、材料、移动速度和入射角。根据本公开的一方面，提供包括第一腔室(403)和第二腔室(405)的物体平台(400)。所述物体平台还包括具有第一表面(415)的第一结构(402)和第二结构(404)。所述第二结构配置成支撑所述第二腔室(405)中的物体(412)、能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括第二表面(417)，所述第二表面与所述第一结构(402)的第一表面(415)相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙(414)，所述间隙在所述第一腔室(403)与所述第二腔室(405)之间延伸。所述物体平台还包括气体出口，所述气体出口用于注射气体且设置成(a)在所述间隙中或(b)在所述第一腔室中且与第一腔室处的间隙的进口相邻。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请号62/538,218的优先权，并且所述申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及在例如光刻术中使用例如气体注射的粒子抑制。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以使用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛认为是制造IC和其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，由于使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成使得能够制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。

可以通过瑞利分辨率判据给出图案印制极限的理论估计值，如等式(1)所示：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子且也被称为瑞利常数，并且CD是被印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)得出，可以通过以下三种方式获得可印制的最小的特征尺寸的减小：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA、或通过降低k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小可印制的最小尺寸，已经建议使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内(例如在13-14nm范围内)的波长的电磁辐射。还已经建议了可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5-10nm(诸如6.7nm或6.8nm)范围内的波长的EUV辐射。这样的辐射称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。通过图案形成装置或反射离开图案形成装置而提供辐射以在衬底上形成图像。图案形成装置可以保持在真空环境中。在所述真空环境内，可能存在污染物粒子源，例如可以产生污染物粒子的多个缆线或缆线和软管承载件。如果这些污染物粒子到达图案形成装置和/或靠近图案形成装置的区，则在所形成的图像中可能出现疵点或缺陷。

发明内容

因此，需要减少具有大范围的尺寸、材料、行进速度和入射角的污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性。