[发明专利]安装装置及温度测定方法有效
申请号: | 201880050359.6 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN111033705B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 和田庄司;菊地広 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 安装 装置 温度 测定 方法 | ||
1.一种安装装置,将安装体安装于被安装体,且所述安装装置的特征在于包括:
平台,具有载置所述被安装体的载置面及对所述载置面进行加热的第一加热器;
测定头,具有与所述被安装体或所述载置面即被测定物接触的接触面、经由所述接触面测定所述被测定物的温度的测定元件、及对所述接触面进行加热的第二加热器,且至少相对于所述载置面在正交方向上驱动;以及
控制部,加热所述第一加热器直到平台侧目标温度,所述平台侧目标温度是当所述被测定物达到目标温度时所预测的所述第一加热器的温度,且所述控制部加热所述第二加热器,直到所述接触面达到所述目标温度,之后在停止所述第二加热器的加热的状态下,根据使所述接触面与所述被测定物接触时的初期时序直到经过规定时间的期间所得的所述测定元件的温度检测值的时间变化,判断所述被测定物在所述初期时序的温度或判断所述被测定物在所述初期时序的温度的良否。
2.根据权利要求1所述的安装装置,其特征在于,
所述测定头为将所述安装体接合于所述被安装体的接合头。
3.根据权利要求1或2所述的安装装置,其特征在于,
当所述测定元件的温度检测值伴随着时间的经过而增加的场合,所述控制部判断所述被测定物在的所述初期时序的温度比所述目标温度高;
当所述测定元件的温度检测值伴随着时间的经过而减少的场合,所述控制部判断所述被测定物在所述初期时序的温度比所述目标温度低;
当所述测定元件的温度检测值即便时间经过也不变动的场合,所述控制部判断所述被测定物在所初期时序的温度与所述目标温度相同。
4.根据权利要求1或2所述的安装装置,其特征在于,
所述控制部根据所述被测定物的温度的判断结果或是温度的良否的判断结果,以使所述被测定物的温度接近所述目标温度的方式,来修正所述第一加热器的控制参数。
5.根据权利要求4所述的安装装置,其特征在于,
在所述被测定物设定有多个测定点,
所述控制部对所述多个测定点进行所述温度的测定,并以测定结果在所述多个测定点间变得均等的方式,修正所述控制参数。
6.根据权利要求1或2所述的安装装置,其特征在于,所述测定头还具有本体、及热容量小于所述本体且经由隔热材料而安装于所述本体的测定块,
所述接触面为所述测定块的端面,
所述测定元件设于所述测定块内。
7.一种温度测定方法,通过测定头测定载置于安装装置的平台的载置面上的被安装体或所述平台的所述载置面即被测定物的温度,且所述温度测定方法的特征在于包括以下步骤:
加热设于所述平台的内部的第一加热器直到平台侧目标温度,所述平台侧目标温度是当所述被测定物达到目标温度时所预测的所述第一加热器的温度,及加热设于所述测定头的第二加热器直到所述测定头中与所述被测定物接触的接触面达到所述目标温度;
在所述加热后,在停止所述第二加热器的状态下使所述接触面与所述被测定物接触;以及
根据所述接触时的初期时序直到经过规定时间的期间由设于所述测定头的温度的测定元件所得的温度检测值的时间变化,判断所述被测定物在所述初期时序的温度或判断所述被测定物在所述初期时序的温度的良否。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川,未经株式会社新川许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880050359.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括用于卷帘幅的引导条的卷帘布置结构
- 下一篇:用于洗衣组合物的香料颗粒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造