[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而形成第一金属膜；

工序(b)，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体以彼此不混合的方式对衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；及

工序(c)，通过对衬底供给蚀刻气体，从而至少将第二金属膜蚀刻。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含有第一金属的气体及所述含有第二金属的气体为卤素系化合物，所述第一还原气体为由氢元素构成的单质，所述第二还原气体为包含氢元素的化合物。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二还原气体是构成所述第二还原气体的各元素间的键能小于所述氢元素彼此的键能的化合物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一金属膜和所述第二金属膜相对所述蚀刻气体具有实质上相等的蚀刻速率。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二金属膜具有低于所述第一金属膜的应力值。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在工序(a)中，使所述第一金属膜的厚度为进行工序(c)之后残留的所述第一金属膜的厚度的1.1倍以上且1.2倍以下。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含有第一金属的气体及所述含有第二金属的气体中包含的金属元素为相同的元素。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述金属元素为钨。

9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含有第一金属的气体及所述含有第二金属的气体中包含的金属元素为不同的元素。

10.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而形成第一金属膜；

工序(d)，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体同时地对衬底进行供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；及

工序(c)，通过对衬底供给蚀刻气体，从而至少将第二金属膜蚀刻。

11.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而形成第一金属膜；及

工序(b)，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体以彼此不混合的方式对衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜。

12.衬底处理装置，其具有：

供衬底被处理的处理室；

气体供给系统，其对所述处理室内的衬底供给含有第一金属的气体、含有第二金属的气体、第一还原气体、与所述第一还原气体不同的第二还原气体、及蚀刻气体；和

控制部，其构成为控制所述气体供给系统以在所述处理室内进行下述处理：处理(a)，通过将所述含有第一金属的气体和所述第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而形成第一金属膜；处理(b)，通过至少将所述含有第二金属的气体和所述第二还原气体以彼此不混合的方式对所述衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；和处理(c)，通过对所述衬底供给所述蚀刻气体，从而至少将第二金属膜蚀刻。

13.程序,其通过计算机使衬底处理装置在所述衬底处理装置的处理室内执行下述步骤：

步骤(a)，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底交替地进行多次供给，从而形成第一金属膜；

步骤(b)，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体以彼此不混合的方式对衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；和

步骤(c)，通过对衬底供给蚀刻气体，从而至少将第二金属膜蚀刻。