[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置

权利要求书

1.一种交换耦合膜，具备反强磁性层及与上述反强磁性层接触的固定磁性层，其特征在于，

上述反强磁性层具有由X¹Cr层与X²Mn层交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造，其中，X¹是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，X²是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，而且与X¹可以相同，也可以不同。

2.如权利要求1所述的交换耦合膜，其中，

上述X¹是Pt，

上述X²是Pt或Ir。

3.如权利要求1或2所述的交换耦合膜，其中，

上述反强磁性层具有层叠了多个由X¹Cr层和X²Mn层构成的单元而成的单元层叠部。

4.如权利要求3所述的交换耦合膜，其中，

上述单元层叠部中的、上述X¹Cr层及上述X²Mn层分别为相同的膜厚，

上述X¹Cr层的膜厚比上述X²Mn层的膜厚大。

5.如权利要求4所述的交换耦合膜，其中，

上述上述X¹Cr层的膜厚与上述X²Mn层的膜厚的比是5：1～100：1。

6.一种交换耦合膜，具备反强磁性层及与上述反强磁性层接触的固定磁性层，其特征在于，

上述反强磁性层具备含有从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素X以及Mn及Cr的X(Cr－Mn)层，

具有距上述强磁性层相对较近的第1区域、及与上述强磁性层相对较远的第2区域，

上述第1区域中的Mn的含有量，比上述第2区域中的Mn的含有量高，

上述第2区域的整个区域含有Mn。

7.如权利要求6所述的交换耦合膜，其中，

上述第1区域与上述强磁性层接触。

8.如权利要求6或7所述的交换耦合膜，其中，

上述反强磁性层中的元素X的含有量为30at％以上。

9.如权利要求1至8中任一项所述的交换耦合膜，其中，

上述固定磁性层是第1磁性层和中间层和第2磁性层层叠而成的自钉扎构造。

10.一种磁阻效应元件，其特征在于，

层叠有权利要求1至9中任一项所述的交换耦合膜及自由磁性层。

11.一种磁检测装置，其特征在于，具备：

权利要求10所述的磁阻效应元件。

12.如权利要求11所述的磁检测装置，其中，

在同一基板上具备多个上述磁阻效应元件，

多个上述磁阻效应元件中包括固定磁化方向不同的磁阻效应元件。