[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置

说明书

固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜(10)具备反强磁性层(2)及与强磁性层(2)接触的固定磁性层(3)，反强磁性层(2)具有X¹Cr层(其中，X¹是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素)(2A)与X²Mn层(其中，X²是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，而且与X¹可以相同，也可以不同)(2B)交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造。

技术领域

本发明涉及交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置。

背景技术

具备反强磁性层和固定磁性层的交换耦合膜，被作为磁阻效应元件、磁检测装置使用。在专利文献1中，关于磁性记录用介质，记载了通过将作为强磁性层的Co合金与作为反强磁性层的各种合金组合能够构成交换耦合膜。作为反强磁性层，例示了CoMn、NiMn、PtMn、PtCr等的合金。

现有技术文献

专利文献

专利文献：日本特开2000－215431号公报

发明内容

发明要解决的课题

关于磁检测装置，在将磁效应元件向基板安装时，需要对焊料进行回流处理(熔融处理)，另外，磁检测装置有时被用在如引擎的周边那样的高温环境下。因此，磁检测装置中使用的交换耦合膜，为了能够在较宽的动态范围中检测磁场，优选的是，固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大，且高温条件下的稳定性较高。

专利文献1是涉及作为磁性记录介质而使用的交换耦合膜的文献，所以关于使用了交换耦合膜的磁检测装置的高温条件下的稳定性，并未记载。

另外，最近，即使是被配置在大输出马达等强磁场产生源的附近并被施加强磁场的环境下，也要求固定磁性层的磁化的方向不易受影响，即要求强磁场耐性。

本发明的目的在于，提供固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、且高温条件下的稳定性较高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题而提供的本发明，作为一个形态，提供一种交换耦合膜，具备反强磁性层及与上述反强磁性层接触的固定磁性层，其特征在于，上述反强磁性层具有X¹Cr层(其中，X¹是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素)与X²Mn层(其中，X²是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，而且与X¹可以相同，也可以不同)交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造。

上述的交换耦合膜例如可以是，上述X¹是Pt，上述X²是Pt或Ir。

图6是说明本发明的交换耦合膜的磁化曲线的磁滞回线的图。通常，软磁体的M－H曲线(磁化曲线)作出的磁滞回线是将H轴与M轴的交点(磁场H＝0A/m，磁化M＝0A/m)作为中心而对称的形状，但如图6所示那样，本发明的交换耦合膜的磁滞回线，由于对于具备与反强磁性层交换耦合的强磁性层的固定磁性层作用了交换耦合磁场Hex，因此成为根据交换耦合磁场Hex的大小而沿着H轴平移后的形状。交换耦合膜的固定磁性层，由于该交换耦合磁场Hex越大则即使被施加外部磁场、磁化的方向也不易反转，因此为良好的固定磁性层。